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一种用于双有源桥变换器的低损耗正交解耦磁集成结构
A Low Loss Orthogonal Decoupling Magnetic Integrated Structure for Dual Active Bridge Converter
Zhenkai Cao · Wu Chen · Zhan Shen · Yichen Chen 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年6月
本文提出了一种用于双有源桥（DAB）变换器的正交解耦磁集成结构（ODMIS），旨在减小变压器和电感的体积。该结构通过正交解耦设计，实现了集成串联电感与励磁电感的磁通独立，有效降低了磁性元件的体积，提升了变换器的功率密度。
解读: 该技术对阳光电源的储能业务（如PowerTitan、PowerStack系列PCS）具有极高的应用价值。DAB拓扑是双向DC-DC变换器的核心，磁集成技术能显著提升PCS的功率密度，降低系统体积与成本。建议研发团队评估该正交解耦结构的损耗特性与散热表现，探索其在兆瓦级储能变流器中的应用潜力，以进一步...
基于GaN的感应充电DOS脉冲发生器，采用带双极输出和可调堆叠的IGBT隔离模块用于DBD等离子体射流
GaN-Based Inductive Charging DOS Pulse Generator Using IGBT-Isolated Modules With Bipolar Output and Adjustable Stacking for DBD Plasma Jet
Shuo Chen · Shuai Du · Xian Cheng · Yichen Liu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年3月
本文提出了一种基于GaN器件的二极管开路开关（DOS）脉冲发生器，用于驱动介质阻挡放电（DBD）等离子体射流。通过利用二极管的快速反向截止特性，该电路实现了超短纳秒脉冲的产生。研究重点在于优化高频运行下的能效，通过引入IGBT隔离模块和可调堆叠技术，解决了传统方案中高功耗和低效率的问题，实现了高频、高压的双极性脉冲输出。
解读: 该研究涉及宽禁带半导体（GaN）与传统IGBT的混合驱动拓扑，主要应用于高频脉冲电源领域。虽然阳光电源目前的核心业务（光伏逆变器、储能PCS、充电桩）主要集中在工频或中高频功率变换，而非等离子体射流驱动，但该文展示的GaN器件在高频开关下的驱动优化及IGBT隔离技术，对阳光电源未来探索更高功率密度、...
基于改进天牛群优化算法优化RPROP神经网络的外转子无铁芯无轴承永磁同步电机解耦控制
Decoupling Control of Outer Rotor Coreless Bearingless Permanent Magnet Synchronous Motor Based on RPROP Neural Network Optimized by Improved Beetle Swarm Optimization Algorithm
Zhihua Chen · Yichen Liu · Huangqiu Zhu · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年3月
针对外转子无铁芯无轴承永磁同步电机（ORC-BPMSM）中转矩绕组与悬浮力绕组磁场交叉耦合导致的强耦合问题，提出了一种基于改进天牛群优化（IBSO）算法优化弹性反向传播（RPROP）神经网络的解耦控制方法，有效提升了系统的控制精度与动态响应性能。
解读: 该研究聚焦于电机的高精度解耦控制，属于电机驱动与控制算法的前沿领域。虽然阳光电源目前的核心业务集中在光伏逆变器、储能PCS及充电桩等电力电子变换领域，而非电机本体设计，但该算法中涉及的神经网络优化与复杂系统解耦控制策略，可为公司在风电变流器的高性能控制、储能系统中的电机驱动应用，以及iSolarCl...
高性能二维AsS空穴型晶体管中亚热载流子输运的理论研究
Theoretical Study of High-Performance Two-Dimensional AsS P-Type Transistors Featuring Subthermionic Transport
Weicong Sun · Hengze Qu · Chuyao Chen · Xi Yu 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年7月
二维材料晶体管在下一代高速、低功耗互补金属氧化物半导体（CMOS）集成方面展现出巨大潜力。然而，与n型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）相比，p型MOSFET的导通态电流较小，功耗较高。在这项工作中，我们结合第一性原理计算和非平衡格林函数（NEGF）方法，研究了二维硫化砷（2 - D AsS）的电子性质和量子输运特性。二维AsS具有1.27 eV的直接带隙，空穴有效质量较小（x方向为$0.46m_0$，y方向为$0.15m_0$）。对于沟道长度在8至10 nm范围内的二维AsS p -...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项关于二维AsS材料p型晶体管的研究虽属基础半导体领域，但其突破性进展对我们的核心产品具有长远战略意义。 在光伏逆变器和储能系统领域，功率转换效率与功耗控制是核心竞争力所在。该研究展示的p型MOSFET实现了30-50 mV/dec的亚阈值摆幅，突破了传统玻尔兹曼极限（...