← 返回
基于GaN的感应充电DOS脉冲发生器，采用带双极输出和可调堆叠的IGBT隔离模块用于DBD等离子体射流
GaN-Based Inductive Charging DOS Pulse Generator Using IGBT-Isolated Modules With Bipolar Output and Adjustable Stacking for DBD Plasma Jet
| 作者 | Shuo Chen · Shuai Du · Xian Cheng · Yichen Liu · Gaochen Huo · Hui Chen |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2026年3月 |
| 技术分类 | 拓扑与电路 |
| 技术标签 | GaN器件 IGBT 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★ 2.0 / 5.0 |
| 关键词 | GaN 纳秒脉冲 二极管断路开关 DBD等离子体射流 IGBT 高频 电力电子 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种基于GaN器件的二极管开路开关（DOS）脉冲发生器，用于驱动介质阻挡放电（DBD）等离子体射流。通过利用二极管的快速反向截止特性，该电路实现了超短纳秒脉冲的产生。研究重点在于优化高频运行下的能效，通过引入IGBT隔离模块和可调堆叠技术，解决了传统方案中高功耗和低效率的问题，实现了高频、高压的双极性脉冲输出。
English Abstract
High-frequency, fast-rising nanosecond pulses have attracted considerable interest in various fields, particularly for driving dielectric barrier discharge plasma jets. The rapid reverse cutoff of diodes enables the diode opening switch (DOS) to generate ultrashort nanosecond pulses. However, it relies on small resistors and a high-power dc source for high-frequency operation, leading to low charg...
S
SunView 深度解读
该研究涉及宽禁带半导体（GaN）与传统IGBT的混合驱动拓扑，主要应用于高频脉冲电源领域。虽然阳光电源目前的核心业务（光伏逆变器、储能PCS、充电桩）主要集中在工频或中高频功率变换，而非等离子体射流驱动，但该文展示的GaN器件在高频开关下的驱动优化及IGBT隔离技术，对阳光电源未来探索更高功率密度、更小体积的下一代SiC/GaN混合功率模块设计具有一定的参考价值。建议关注其在提升功率密度方面的电路拓扑创新，以优化未来户用光伏或小型化充电桩的效率。