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面向多种全碳化硅功率模块的自动化灵活建模
Automated Flexible Modeling for Various Full-SiC Power Modules
Junichi Nakashima · Takeshi Horiguchi · Yasushige Mukunoki · Makoto Hagiwara 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年5月
针对近年来全碳化硅（SiC）功率模块的多样化发展，本文提出了一种基于数据驱动的高精度建模方法。该方法利用1.2kV、3.3kV及6.5kV全SiC模块的测量数据，实现了静态模型的快速开发，显著提升了针对不同产品型号的建模速度与灵活性。
解读: 该研究对于阳光电源的核心产品线具有极高的应用价值。随着公司在光伏逆变器（特别是组串式和集中式）及储能系统（如PowerTitan系列）中大规模应用SiC器件以提升功率密度和效率，该自动化建模方法能显著缩短研发周期，降低器件选型与验证成本。建议研发团队引入该数据驱动建模流程，优化SiC模块在不同电压等...
一种改进的碳化硅MOSFET紧凑模型及其在精确电路仿真中的应用
An Improved Compact Model for a Silicon-Carbide MOSFET and Its Application to Accurate Circuit Simulation
Yasushige Mukunoki · Kentaro Konno · Tsubasa Matsuo · Takeshi Horiguchi 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年11月
本文提出了一种改进的离散碳化硅（SiC）MOSFET紧凑模型。该模型在原有基础上，引入了新的输出特性行为模型及内部电容非线性模型。仿真结果表明，改进后的模型在静态特性及瞬态行为方面均比旧模型更接近实测数据，显著提升了电路仿真的准确性。
解读: 随着阳光电源在组串式光伏逆变器、PowerTitan储能系统及电动汽车充电桩中大规模应用SiC器件，高精度的器件模型对于提升功率密度和效率至关重要。该改进模型能更准确地模拟SiC MOSFET在高速开关过程中的非线性电容特性，有助于优化逆变器及PCS的驱动电路设计，减少开关损耗，并提升电磁兼容性（E...