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功率器件技术 功率模块 SiC器件 宽禁带半导体 ★ 5.0

面向正常与短时过流工况的功率模块双模热管理

Dual-Mode Thermal Management of a Power Module for Normal and Short-Term Overcurrent Operation

Jinpeng Cheng · Liyu Yao · Hao Feng · Xu Zhang 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 预计 2026年5月

在功率模块中集成相变材料(PCM)可缓解短时过流引起的温度激增,但会阻碍正常运行时的散热。本文针对半桥SiC MOSFET功率模块的三维回路封装设计,提出了一种双模热管理方法,通过将PCM置于热传导路径之外,有效平衡了正常散热与过流保护需求。

解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan储能系统具有重要参考价值。随着SiC器件在高性能逆变器中的普及,功率密度不断提升,短时过流能力成为系统可靠性的关键瓶颈。该双模热管理方案通过优化封装热路径,可在不牺牲正常工况散热效率的前提下,显著提升系统应对电网故障或瞬时过载的能力。建议研发团队在...