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SiC MOSFET体二极管温度相关反向恢复特性用于半桥开关损耗评估
Temperature-Dependent Reverse Recovery Characterization of SiC MOSFETs Body Diode for Switching Loss Estimation in a Half-Bridge
Debiprasad Nayak · Ravi Kumar Yakala · Manish Kumar · Sumit Kumar Pramanick · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年5月
在硬开关MOSFET变换器中，开通损耗是总开关损耗的主要部分。在半桥配置中，随着结温升高，互补MOSFET体二极管的反向恢复效应会导致开通损耗进一步增加。在设计初期准确评估不同工况下的开关损耗对于优化变换器效率和热管理至关重要。
解读: 该研究直接服务于阳光电源的核心产品线，如组串式光伏逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统。随着公司产品向高功率密度和高效率演进，SiC MOSFET已成为提升逆变器效率的关键。该文献提出的温度相关损耗评估模型，能显著提升研发阶段对SiC功率模块热设计和效率预测的精度，有助于优化散...
基于不连续调制的主动热控制以提升并网逆变器类资源的kVA容量限制
Discontinuous Modulation-Based Active Thermal Control for Enhancing the KVA Limit of Grid-Connected Inverter-Based Resources
Debiprasad Nayak · Yakala Ravi Kumar · Sumit Pramanick · IEEE Transactions on Industrial Electronics · 2025年10月 · Vol.73
本文提出一种结合不连续脉宽调制（DPWM）与系统级电流控制器的闭环主动热控制（ATC）方法，通过调节钳位角α优化开关损耗，实现IGBT结温约束下提升并网逆变器kVA容量，并支持高温环境满功率运行；采用Foster热模型进行结温估算。
解读: 该技术高度适配阳光电源组串式逆变器（如SG系列）及ST系列储能变流器（PCS），可显著提升其在高温工况（如中东、澳洲地面电站）下的持续过载能力与降额容忍度。建议将ATC算法集成至iSolarCloud平台，结合实时环境温度与器件结温预测，动态优化DPWM策略，延长IGBT寿命并增强PowerTita...