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基于改进观测趋近律的无编码器电机控制智能在线稀疏贝叶斯学习
Intelligent Online Sparse Bayesian Learning for Encoderless Motor Control With Modified Observation Reaching Law
Xueyan Wang · Fobao Zhou · Zhenxiao Yin · Yuxuan Liang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年12月
针对恶劣环境下无编码器电机控制的局限性，本文提出了一种基于改进观测趋近律的非线性磁链观测器。该方法通过引入智能在线稀疏贝叶斯学习算法，有效提升了系统的动态响应速度，并增强了对电机参数变化的鲁棒性，解决了传统无传感器控制在复杂工况下的性能瓶颈。
解读: 该技术主要应用于电机驱动控制领域，对阳光电源的风电变流器产品线具有参考价值。风电变流器在恶劣环境下运行，无编码器控制技术可降低硬件故障率并减少维护成本。文中提到的稀疏贝叶斯学习与改进趋近律算法，可优化变流器在弱电网或复杂风况下的转矩响应与稳定性。建议研发团队关注该算法在风电变流器无传感器矢量控制中的...
一种用于永磁同步电机的切换式超局部无模型预测控制器
A Switched Ultra-Local Model-Free Predictive Controller for PMSMs
Zhenxiao Yin · Xueyan Wang · Xiangdong Su · Yang Shen 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年9月
现有的无模型预测控制（MFPC）方法多依赖于成熟的控制器公式及附加观测器，缺乏对MFPC机制本身的改进。本文从超局部模型的原始公式出发，重新设计了一种无模型预测控制方法，通过切换机制提升了控制性能，解决了传统MFPC在电机控制中的局限性。
解读: 该研究提出的切换式超局部无模型预测控制算法，在电机驱动控制领域具有显著的先进性。对于阳光电源而言，该技术可深度赋能风电变流器及电动汽车充电桩业务。在风电变流器中，该算法能提升发电机侧变流器对复杂工况的动态响应能力；在充电桩领域，可优化电机驱动系统的鲁棒性与控制精度。建议研发团队关注该算法在非线性负载...
基于微型神经网络的永磁同步电机超局部无模型预测控制
Tiny Neural Network-Based Ultra-Local Model-Free Predictive Control for PMSMs
Yang Shen · Zhenxiao Yin · Fobao Zhou · Yujia Zhang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年1月
针对无模型预测控制器参数整定困难的问题，本文提出了一种基于微型神经网络的在线自学习方法。通过分析电机电压与电流的物理关系，设计了结合微型神经网络模块的增量式无模型预测控制方案，实现了控制参数的自适应优化，提升了永磁同步电机的动态响应性能与鲁棒性。
解读: 该技术主要针对电机驱动控制，与阳光电源的电动汽车充电桩（功率模块控制）及风电变流器（电机侧控制）业务具有较强相关性。微型神经网络的引入能有效降低对电机精确数学模型的依赖，提升变流器在复杂工况下的控制精度和动态响应。建议研发团队关注该轻量化AI算法在风电变流器及充电桩功率模块中的应用，以优化电流环控制...
高温反向偏压应力下p-GaN栅AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的退化机理
Degradation Mechanisms of p-GaN Gate AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors Under High-Temperature Reverse Bias Stress
Chengbing Pan · Wenbo Wang · Ruomeng Zhang · Xinyuan Zheng 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年7月
p型氮化镓（p - GaN）栅极氮化铝镓/氮化镓（AlGaN/GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）在包括电动汽车、雷达等在内的许多应用领域具有广阔前景。然而，p - GaN栅极AlGaN/GaN HEMTs的阈值电压（ ${V}_{\text {TH}}$ ）不稳定性和动态导通电阻（ ${R}_{\text {DSON}}$ ）退化问题仍然令人担忧。在此，对p - GaN栅极AlGaN/GaN HEMTs的阈值电压和动态 ${R}_{\text {DSON}}$ 的退化行为进行了系统研究。在高...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，该论文揭示的p-GaN栅极AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）退化机制研究具有重要的战略价值。作为新一代宽禁带半导体器件，GaN功率器件凭借其高开关频率、低导通损耗和高温工作能力，正成为光伏逆变器和储能变流器实现高功率密度、高效率的关键技术路径。 该研究系统阐...