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串联晶闸管脉冲电流分析的行为模型
A Behavioral Model for Pulse Current Analysis of Series-Connected Thyristors
Pengcheng Xing · Qingbo Wan · Jie Huang · Heng Zhang 等14人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 预计 2026年5月
高功率脉冲系统常需串联多个晶闸管以承受高电压，但实现脉冲性能最优化的器件数量尚不明确。本文开发了一种串联晶闸管脉冲电流的行为模型，将器件级的电导调制与电路级的行为联系起来，为高压功率器件的串联应用提供了理论支撑。
解读: 该研究聚焦于晶闸管（Thyristor）的串联应用及脉冲特性，虽然阳光电源目前的主流产品（如组串式/集中式逆变器、PowerTitan储能系统）主要采用IGBT或SiC MOSFET等全控型功率器件，而非半控型的晶闸管，但该模型中关于“多器件串联均压与电导调制”的分析方法，对于超高压直流输电或特定高...
基于降阶观测器的表贴式永磁同步电机无差拍预测电流控制参数辨识方法
A Parameter Identification Method Based on Reduced-Order Observer for SPMSM With Deadbeat Predictive Current Control
Xiao Chen · Shuo Zhang · Mingwei Zhao · Yue Zhao 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年4月
无差拍预测电流控制（DPCC）因其优异的控制性能被广泛应用于表贴式永磁同步电机（SPMSM）。然而，DPCC高度依赖电机数学模型的准确性，参数失配会导致电流误差和脉动。为增强DPCC的参数鲁棒性，本文提出了一种在线参数辨识方法。
解读: 该技术主要针对电机驱动控制，虽然阳光电源的核心业务侧重于光伏逆变器和储能变流器（PCS），但其控制逻辑与电机驱动中的预测控制具有高度同源性。在阳光电源的储能变流器（如PowerTitan系列）或风电变流器中，应用高性能的模型预测控制（MPC）可显著提升电流环的动态响应速度和抗扰能力。该文提出的降阶观...
不对称故障下双馈风电机组有功功率传输能力提升
Active Power Transfer Capability Enhancement for DFIG-Based WT Under Asymmetrical Faults
Sen Zhang · Bin Hu · Xudong Huang · Dan Sun 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年10月
针对双馈风电机组（DFIG）在不对称电网故障下的有功功率传输能力（APTC）问题，本文探讨了电流指令设计的关键性。由于转差特性导致的定转子量非线性变换，模型具有固有的非凸性，给控制策略优化带来挑战。本文旨在通过改进控制算法，提升风电机组在复杂电网故障下的运行稳定性与功率输出能力。
解读: 该研究聚焦于风电变流器在复杂电网故障下的控制策略，对阳光电源风电变流器产品线具有重要参考价值。随着电网对风电机组低电压穿越（LVRT）及故障期间支撑能力的要求日益严苛，优化不对称故障下的电流控制指令，能显著提升阳光电源风电变流器在弱电网或故障工况下的并网稳定性和有功支撑性能。建议研发团队将该非凸优化...
四电平Buck/Boost变换器的脉冲交替调制技术
Pulse Alternation Modulation for Four-Level Buck/Boost Converter With Full Voltage ZVS Range
Tianyi Zhang · Caifeng Liu · Jiaao Zou · Xudong Zou 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年9月
本文针对四电平Buck/Boost（FLBB）变换器提出了一种脉冲交替调制（PAM）策略。分析发现现有调制方法在模式边界处电感电流斜率低且受频率限制，导致零电压开关（ZVS）范围窄。PAM通过在固定开关频率下重构调制时序，有效拓宽了ZVS实现范围。
解读: 该研究提出的四电平Buck/Boost拓扑及PAM调制策略，对阳光电源的储能系统（如PowerTitan系列）及组串式光伏逆变器具有重要参考价值。在储能PCS中，高效率的双向DC-DC变换器是核心，通过优化调制策略实现全电压范围的ZVS，可显著降低开关损耗，提升系统整体转换效率，并有助于缩小散热器体...
SiC功率MOSFET可靠性机制综述：平面栅与沟槽栅结构的比较
Review on the Reliability Mechanisms of SiC Power MOSFETs: A Comparison Between Planar-Gate and Trench-Gate Structures
Jiaxing Wei · Zhaoxiang Wei · Hao Fu · Junhou Cao 等11人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年7月
本文旨在梳理SiC功率MOSFET的最新研究现状，重点对比分析了平面栅（PG）与沟槽栅（TG）结构在可靠性机制上的差异。文章系统总结了不同栅极结构在长期运行下的失效模式与机理，为高性能电力电子系统的器件选型与可靠性设计提供了理论依据。
解读: SiC器件是阳光电源提升逆变器及储能PCS功率密度与效率的核心技术。随着PowerTitan系列储能系统及新一代组串式逆变器向更高电压等级和更高功率密度演进，SiC MOSFET的应用已成必然。本文对比的PG与TG结构可靠性分析，对阳光电源研发团队在器件选型、栅极驱动设计及长期运行寿命评估方面具有极...