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一种具有电压调节功能的高效率MHz集成三相交错Boost-LLC变换器
A High-Efficiency MHz-Integrated Three-Phase Interleaved Boost–LLC Converter With Voltage Regulation
Jiajia Guan · Shuangxi Zhu · Xuchen Sun · Jin Wen 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年6月
针对三相交错LLC变换器同步整流困难及宽电压调节范围难以实现的问题，本文提出了一种基于桥臂复用技术的三相交错Boost与三相交错LLC集成拓扑。该拓扑通过特定的调制策略，有效提升了变换效率并降低了输出纹波，为高功率密度电力电子变换提供了新的解决方案。
解读: 该研究提出的MHz高频集成拓扑与阳光电源在组串式光伏逆变器及PowerStack储能系统中的高功率密度设计趋势高度契合。通过桥臂复用技术，可显著减少器件数量，提升系统集成度，有助于进一步缩小逆变器和PCS的体积。建议研发团队关注该拓扑在高频化下的磁性元件设计及EMI抑制方案，将其应用于下一代超紧凑型...
一种基于零矢量转换的三电平简化NPC逆变器调制方法
A Novel Zero Vector Transitions Based Modulation Method for Three-Level Simplified NPC Inverter With Zero Switching Loss of Inverter Stage Devices
Shuangxi Zhu · Jiajia Guan · Xuchen Sun · Xinyue Guo 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年4月
本文针对三电平简化中点钳位（NPC）逆变器，提出了一种新型空间矢量调制方法。该方法通过优化零矢量转换，有效降低了逆变级器件的开关损耗，特别是在非单位功率因数条件下，显著提升了系统效率，为三相逆变系统提供了更优的性能方案。
解读: 该技术直接契合阳光电源核心产品线——光伏逆变器（尤其是组串式与集中式逆变器）及储能变流器（PCS）。三电平拓扑是阳光电源实现高功率密度与高效率的关键技术路径。该调制方法通过降低开关损耗，能够显著提升逆变器的整机效率，特别是在工商业光伏及大型地面电站应用中，有助于降低散热成本并提升系统可靠性。建议研发...
基于反向传播神经网络的宽电压范围与低电流THD自适应图腾柱PFC控制
Adaptive Totem Pole PFC Control Based on Backpropagation Neural Network With Wide Voltage Range and Low Current THD
Hao Chu · Jiajia Guan · Xuchen Sun · Xiangan Xiao 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年4月
图腾柱PFC电路因其高效率和结构简单，广泛应用于车载充电器。然而，传统固定参数控制在宽电压范围内鲁棒性不足，导致输入电流总谐波失真（THD）较高。本文提出一种基于反向传播（BP）神经网络的自适应控制策略，有效解决了宽电压范围下的电流畸变问题，提升了系统性能。
解读: 该技术对阳光电源的电动汽车充电桩业务具有重要参考价值。图腾柱PFC是实现高功率密度充电桩的核心拓扑，结合BP神经网络的自适应控制能显著提升在宽电压输出场景下的电能质量（降低THD），符合充电桩向高效率、智能化发展的趋势。建议研发团队在充电模块中引入此类AI辅助控制算法，以应对复杂电网环境下的性能优化...
基于硅衬底并采用刻槽n+-GaN帽层与局域钝化层的AlGaN/GaN肖特基势垒二极管以提升优值和动态特性
AlGaN/GaN-based SBDs grown on silicon substrates with trenched n+-GaN cap layer and local passivation layer to improve BFOM and dynamic properties
Zhizhong Wang1Jingting He2Fuping Huang2Xuchen Gao1Kangkai Tian2Chunshuang Chu2Yonghui Zhang1Shuting Cai2Xiaojuan Sun3Dabing Li3Xiao Wei Sun4Zi-Hui Zhang5 · 半导体学报 · 2025年9月 · Vol.46
本文设计并制备了在硅衬底上具有刻槽n+-GaN帽层的AlGaN/GaN肖特基势垒二极管。研究表明，n+-GaN帽层可向AlGaN/GaN沟道注入更多电子，使二维电子气密度提高一倍，比导通电阻降至约2.4 mΩ·cm²。通过干法刻蚀形成刻槽结构消除关态表面漏电，并在场板沉积前引入Si₃N₄钝化层，有效抑制刻蚀导致的表面缺陷，使漏电流降低至约8×10⁻⁵ A·cm⁻²，击穿电压达876 V，Baliga优值提升至约319 MW·cm⁻²。该Si₃N₄层还可抑制电子捕获与输运过程，显著改善动态导通电阻...
解读: 该硅基GaN肖特基二极管技术对阳光电源功率变换系统具有重要应用价值。刻槽n+-GaN帽层技术使比导通电阻降至2.4 mΩ·cm²，Baliga优值达319 MW·cm⁻²，可直接应用于ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器的同步整流电路，降低导通损耗15-20%。局域钝化层抑制动态导通电阻退化的方案...