找到 4 条结果

排序:
拓扑与电路 充电桩 双向DC-DC LLC谐振 ★ 3.0

基于多边界约束的无线快充通用谐振参数设计方法

Universal Resonant Parameter Design Method Based on Multiple Boundary Constraints for Wireless Fast Charging

Yongbin Jiang · Yue Wu · Yaohua Li · Ning Wang 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年11月

传统的兆赫兹以下无线充电谐振参数设计依赖人工经验与反复试验,效率低下且难以优化性能。本文提出了一种基于多边界约束(MBCs)的通用设计方法,旨在指导工程师高效完成系统参数优化,提升无线充电系统的整体性能与设计可靠性。

解读: 该研究关注无线充电系统的谐振参数优化,与阳光电源的电动汽车充电桩业务具有技术关联性。虽然目前主流充电桩仍以有线为主,但无线充电代表了未来便捷化充电的发展趋势。该方法中提出的多边界约束(MBCs)设计思路,可借鉴应用于阳光电源充电桩内部的高频DC-DC变换器设计,通过优化谐振参数提升功率密度与转换效率...

电动汽车驱动 充电桩 拓扑与电路 控制与算法 ★ 3.0

一种用于无线电能传输系统且具有集成多解耦线圈的紧凑型耦合器及其抗偏移控制

A Compact Coupler With Integrated Multiple Decoupled Coils for Wireless Power Transfer System and its Anti-Misalignment Control

Min Wu · Xu Yang · Wenjie Chen · Laili Wang 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年10月

本文针对电动汽车无线充电技术,提出了一种集成多解耦线圈的紧凑型耦合器设计,旨在解决高功率快充应用中安装空间受限与系统体积庞大的矛盾。通过优化线圈结构与LCC补偿拓扑,实现了高效的能量传输,并提出了相应的抗偏移控制策略,以提升系统在实际应用中的鲁棒性。

解读: 该技术主要针对电动汽车无线充电领域,与阳光电源现有的有线充电桩产品线形成技术互补。虽然目前阳光电源充电桩业务以有线快充为主,但无线充电代表了未来自动驾驶及便捷充电的发展方向。该研究中关于LCC补偿拓扑的优化及抗偏移控制算法,可为公司未来布局大功率无线充电技术储备核心专利,提升充电系统的空间利用率和对...

电动汽车驱动 充电桩 有限元仿真 ★ 3.0

带铁氧体磁芯的利兹线DD型线圈无线电能传输系统建模

Modeling of Litz-Wire DD Coil With Ferrite Core for Wireless Power Transfer System

Min Wu · Xu Yang · Hongchang Cui · Wenjie Chen 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年5月

DD型平面线圈配合铁氧体磁芯是无线电能传输(WPT)中的主流耦合结构,尤其适用于电动汽车领域。线圈设计对WPT系统性能至关重要,但仅依赖有限元分析(FEA)耗时较长。本文针对DD型线圈缺乏有效建模方法的问题,提出了一种高效的解析建模方案。

解读: 无线充电技术是阳光电源电动汽车充电桩业务的重要技术储备方向。该文献提出的DD型线圈解析建模方法,能够有效替代部分繁琐的有限元仿真,显著提升研发效率,缩短大功率无线充电产品的设计周期。对于阳光电源而言,掌握此类高耦合效率的线圈设计与建模技术,有助于优化未来车载无线充电系统的空间布局与能量传输效率,提升...

功率器件技术 GaN器件 宽禁带半导体 DC-DC变换器 ★ 4.0

基于单片集成氮化镓蓝宝石二极管桥IC的1000V、10MHz倍压器

1000 V, 10 MHz Voltage Multiplier Based on Monolithically Integrated GaN-on-Sapphire Diode Bridge IC

Zineng Yang · Xin Yang · Hehe Gong · Hongchang Cui 等15人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年4月

本文展示了一种基于单片集成氮化镓(GaN-on-Sapphire)二极管桥IC的1000V、10MHz倍压器。研究填补了GaN器件在千伏级高频应用中的空白,验证了单片集成技术在实现高压、高频功率转换方面的潜力。

解读: 该研究展示了GaN器件在千伏级高压与超高频应用中的突破,对阳光电源的未来产品研发具有重要参考价值。在组串式逆变器和户用储能PCS领域,随着功率密度的不断提升,传统硅基器件已接近性能瓶颈,引入GaN-on-Sapphire等宽禁带半导体技术有助于进一步缩小磁性元件体积,提升整机效率。建议研发团队关注该...