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拓扑与电路 多电平 故障诊断 模型预测控制MPC ★ 4.0

级联全桥NPC逆变器级联开路故障的无缝容错模型预测控制

Seamless Fault-Tolerant Model Predictive Control for Cascaded Full-Bridge NPC Inverters With Cascaded Open-Circuit Faults

Xinwei Wei · Chunguang Ren · Peng Wang · Xiaoqing Han 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年6月

针对级联逆变器在多级开路故障(OCF)下,传统硬件容错方法诊断耗时长、波形畸变严重及功率降额的问题,本文提出了一种无缝容错模型预测控制(SFTMPC)策略。该方法通过优化控制算法,在故障发生时实现快速响应与平滑切换,有效提升了系统的可靠性与输出电能质量。

解读: 该技术对阳光电源的集中式逆变器及大型储能系统(如PowerTitan系列)具有重要参考价值。大型光伏与储能系统常采用多电平级联拓扑,该研究提出的无缝容错控制策略,能够显著提升系统在功率模块故障时的鲁棒性,减少因故障导致的停机时间与功率损失。建议研发团队关注其在iSolarCloud智能运维平台中的应...

功率器件技术 SiC器件 DC-DC变换器 功率模块 ★ 5.0

利用开关振荡幅度特征实现DC-DC变换器中SiC MOSFET开关时间的非接触式监测

Noncontact SiC MOSFET Switching Time Monitoring in DC–DC Converter Using Switching Oscillation Amplitude Feature

Dawei Xiang · Yipeng Li · Hao Li · Yunpeng Xiao 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年8月

SiC MOSFET的开关时间是评估其运行性能与健康状态的关键参数。然而,直接测量漏源或栅源电压存在安全与精度挑战。本文提出了一种基于开关振荡幅度特征的非接触式监测方法,有效解决了上述难题,为功率器件的在线状态监测提供了新思路。

解读: 该技术对阳光电源的组串式光伏逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统具有重要价值。随着SiC器件在高效能变换器中的广泛应用,开关时间的精准监测直接关联到功率模块的健康管理与寿命预测。通过非接触式监测技术,阳光电源可在iSolarCloud平台中集成更高级的预测性维护功能,在不增加额...

功率器件技术 GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 4.0

基于动态dv/dt开关模型的GaN HEMT最小开关损耗三段式有源驱动策略

Minimal Switching Loss Three-Stage Active Gate Driving Strategy Based on Dynamic dv/dt Switching Model for GaN HEMT

Shuo Zhang · Chang Liu · Xinyu Li · Desheng Zhang 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年3月

GaN HEMT的高速开关特性带来了高dv/dt和严重的电磁干扰(EMI)问题,需在开关速度与损耗间权衡。三段式栅极驱动(TSGD)虽能缓解此矛盾,但受限于非线性寄生电容,难以实现最优开关损耗。本文提出了一种基于动态dv/dt模型的优化策略,以实现GaN器件在最小开关损耗下的高效驱动。

解读: GaN等宽禁带半导体是提升阳光电源户用光伏逆变器及小型化储能产品功率密度的关键。该研究提出的三段式有源驱动策略,能够有效平衡GaN器件的高频开关损耗与EMI干扰,对于优化阳光电源户用逆变器(如SG系列)及微型逆变器的效率和电磁兼容性设计具有重要参考价值。建议研发团队关注该动态dv/dt模型在功率模块...