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肖特基型p-GaN栅HEMT中负栅极偏置引起的动态导通电阻退化
Negative Gate Bias Induced Dynamic ON-Resistance Degradation in Schottky-Type p-Gan Gate HEMTs
Zuoheng Jiang · Mengyuan Hua · Xinran Huang · Lingling Li 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年5月
本文系统研究了关断状态栅极偏置（VGS,OFF）对商用肖特基型p-GaN栅HEMT动态导通电阻（RON）的影响。通过双脉冲测试和脉冲I-V系统，评估了在硬开关和软开关条件下，不同栅极和漏极偏置对动态RON的影响。研究发现，更负的VGS,OFF会导致更显著的动态RON退化。
解读: GaN作为宽禁带半导体，在阳光电源的高功率密度户用逆变器及小型化充电桩产品中具有重要应用前景。该研究揭示了p-GaN栅HEMT在负偏置下的动态导通电阻退化机制，对提升阳光电源产品的长期可靠性至关重要。建议研发团队在设计驱动电路时，优化负压关断策略，以抑制动态损耗增加。同时，该研究成果可指导iSola...
高频PCB变压器并联交错绕组寄生参数优化研究
Optimization Study of Parasitic Parameters in Parallel Interleaved Windings for High-Frequency PCB Transformers
Dejun Ba · Faxin Yu · Yihe Wang · Xinran Chen 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年10月
本文提出了一种创新的并联交错绕组结构，旨在降低高频PCB变压器的寄生效应。通过多分支并联绕组结构，有效缓解了高频趋肤效应引起的交流阻抗增加及涡流损耗问题，并利用分支水平交错结构进一步优化了变压器性能。
解读: 该研究直接服务于阳光电源高功率密度电力电子产品的核心磁性元件设计。在组串式光伏逆变器及PowerTitan/PowerStack储能变流器（PCS）中，高频化是提升功率密度的关键趋势，但随之而来的高频损耗和寄生参数问题是设计难点。该论文提出的PCB绕组优化方案，可显著降低变压器在高频工作下的损耗，提...
电压控制型并网逆变器注入电网电流质量的改善
Injected Grid Current Quality Improvement for a Voltage-Controlled Grid-Connected Inverter
Xinran Chen · Xinbo Ruan · Dongsheng Yang · Wenxin Zhao 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年2月
本文针对电压控制型并网逆变器因功率开关死区效应导致的输出电压低频谐波畸变问题，提出了一种虚拟串联阻抗控制策略。即使在闭环电压控制下，该畸变仍难以消除，而该方法能有效提升并网电流质量。
解读: 该技术对阳光电源的组串式和集中式光伏逆变器具有重要参考价值。在逆变器并网运行中，死区效应引起的谐波是影响电能质量的关键因素，尤其在弱电网环境下。引入虚拟串联阻抗策略，无需改变硬件结构，即可通过控制算法优化输出电流波形，提升产品在复杂电网环境下的谐波抑制能力。建议研发团队将其应用于iSolarClou...
基于直接速度估计与虚拟Z脉冲过零校正的SPMSM与IPMSM无传感器控制
Noise-Free Sensorless Control Based on Direct Speed Estimation and Virtual-Z-Pulse Zero-Crossing Correction for Both SPMSMs and IPMSMs
Xinran Shi · Hao Chen · Zeyuan Gao · Chao Gong 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 预计 2026年5月
本文提出了一种基于滑模原理的直接速度估计器（SM-DSE）。与依赖反电动势或高频响应电流等中间信号的传统方法不同，SM-DSE无需任何中间信号即可实现全速范围内的无传感器控制，且适用于表贴式（SPMSM）和内置式（IPMSM）永磁同步电机。
解读: 该技术在电机控制算法领域具有显著创新，对阳光电源的业务具有重要参考价值。首先，该无传感器控制算法可直接应用于阳光电源的风电变流器产品，通过降低对位置传感器的依赖，提升系统的可靠性并降低硬件成本。其次，在电动汽车充电桩的功率模块散热风机控制或储能系统中的辅助电机驱动中，该算法能有效提升控制精度与抗噪性...