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功率器件技术 IGBT 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

IGBT开关引起的辐射干扰特性及影响因素研究

Characteristics and Influence Factors of Radiated Disturbance Induced by IGBT Switching

Jian Zhang · Tiebing Lu · Weidong Zhang · Xingming Bian 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年12月

本文建立了IGBT及其辅助电路的辐射干扰测试平台,实验研究了辅助电路的辐射干扰特性及抑制方法。研究发现,辅助电路的辐射电磁干扰(EMI)带宽主要集中在30-300 MHz范围内。

解读: 该研究对阳光电源的核心产品线(如组串式/集中式光伏逆变器、PowerTitan储能系统)具有重要意义。随着功率密度提升,IGBT开关频率及dv/dt增加,电磁兼容性(EMC)设计成为产品认证与稳定运行的关键。研究中关于30-300 MHz频段辐射干扰的分析,可直接指导研发团队优化逆变器及PCS的PC...