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基于阶梯波跟踪输出电压法的高功率高动态性能空间太阳能阵列模拟器
High-Power High-Dynamic-Performance Space Solar Array Simulator Using Step-Wave Tracking Output Voltage Approach
Shanshan Jin · Donglai Zhang · Lu Qu · Mingyu Liu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年5月
随着高轨卫星功率需求提升，现有地面光伏模拟器难以满足非地面应用的高动态性能要求。本文提出了一种基于阶梯波跟踪输出电压法的高功率太阳能阵列模拟器（SAS）设计，旨在优化非地面应用场景下的动态响应特性。
解读: 该文献探讨的高动态性能模拟技术对阳光电源的测试与研发体系具有参考价值。虽然阳光电源核心业务聚焦于地面光伏与储能，但其iSolarCloud平台及组串式逆变器在极端环境下的快速响应能力要求日益提高。该文提出的阶梯波跟踪技术可优化逆变器在弱电网或复杂负载波动下的控制算法，提升系统稳定性。建议研发团队关注...
基于交流信号采样控制方法的级联DC-DC变换器稳定性提升研究
Research on Stability Improvement of the Cascaded DC–DC Converters Based on AC Signal Sampling Control Method
Yu Gu · Donglai Zhang · Xiaofan Wu · Xiaofeng Zhang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年5月
级联电源系统的级联不稳定性长期制约着直流分布式电源系统的发展。本文通过分析直流-直流级联系统不稳定的本质原因，提出了一种基于输出电压交流信号分量采样反馈的控制方法，以提升级联稳定性。同时，通过小信号分析验证了该方法的有效性。
解读: 该研究对于阳光电源的储能系统（如PowerTitan、PowerStack）及直流微网解决方案具有重要参考价值。在多级DC-DC变换器级联场景下，系统易出现阻抗失配导致的振荡问题。该文提出的交流信号采样反馈控制策略，能够有效抑制级联不稳定性，提升系统在复杂电网环境下的鲁棒性。建议研发团队在PCS的D...
数字峰值电流模式控制DC-DC升压变换器的电流跟踪延迟效应最小化
Current Tracking Delay Effect Minimization for Digital Peak Current Mode Control of DC–DC Boost Converter
Xiaofeng Zhang · Run Min · Dian Lyu · Donglai Zhang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年12月
数字峰值电流模式（DPCM）控制广泛应用于连续电流模式的DC-DC变换器。然而，建模阶段常忽略电流跟踪延迟（CTD），导致补偿器设计不佳及性能下降。本文研究了不同DPCM控制下Boost变换器的CTD效应，并基于动态关系提出了优化方案。
解读: 该研究直接针对DC-DC变换器中的数字峰值电流控制（DPCM）优化，对阳光电源的核心产品线具有极高价值。在组串式光伏逆变器和PowerTitan/PowerStack储能变流器（PCS）中，DC-DC升压级是实现MPPT或电池侧电压调节的关键环节。通过引入该文提出的CTD效应补偿策略，可以有效提升数...
1.2 kV 4H-SiC MOSFET在重复短路测试下静态与动态特性的退化机制
Degradation mechanisms for static and dynamic characteristics in 1.2 kV 4H-SiC MOSFETs under repetitive short-circuit tests
Ying Ji · Linna Zhao · Shilong Yang · Cunli Lu 等6人 · Solid-State Electronics · 2025年6月 · Vol.226
本文通过在栅源电压（VGS,OFF/VGS,ON）分别为−4/+15 V、−4/+19 V和0/+19 V条件下进行重复短路（RSC）测试，研究了1.2 kV 4H-SiC MOSFET的退化行为。结合实验与仿真结果发现，在雪崩过程中栅氧化层中捕获的电子或空穴是导致静态参数退化的主要机制。在VGS,OFF/VGS,ON = −4/+19 V条件下，经过240次短路（SC）测试后，阈值电压VTH和导通电阻RDS,ON分别增加了0.4 V和3.0 mΩ；在0/+19 V条件下分别增加了0.45 V和...
解读: 该研究揭示SiC MOSFET短路退化机理对阳光电源ST系列储能变流器和SG光伏逆变器至关重要。栅极氧化层电荷陷阱导致阈值电压漂移和导通电阻增加，直接影响功率器件可靠性。研究发现负偏压门极驱动(-4V)可显著改善短路耐受性，为PowerTitan储能系统和充电桩产品的SiC驱动电路优化提供依据。建议...