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排序:
功率器件技术
功率模块
可靠性分析
有限元仿真
★ 5.0
一种基于参数提取的简化MOSFET行为模型用于电路仿真
A Simplified Behavioral MOSFET Model Based on Parameters Extraction for Circuit Simulations
Marek Turzynski · Wlodek J. Kulesza · IEEE Transactions on Power Electronics · 2016年4月
本文提出了一种通用MOSFET的行为建模方法，旨在满足电力电子系统在稳态和开关条件下的高精度仿真需求。该方法基于厂商数据手册，通过提取包括寄生电容非线性及稳态特性在内的关键参数，实现了高效且准确的电路仿真。
解读: 该研究对于阳光电源的核心产品线（如组串式/集中式光伏逆变器、PowerTitan储能变流器及电动汽车充电桩）具有极高的应用价值。在功率密度不断提升的背景下，高精度的MOSFET行为模型能显著优化开关损耗分析与电磁兼容（EMC）设计，缩短研发周期。建议研发团队将此参数提取方法集成至iSolarClou...