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一种基于参数提取的简化MOSFET行为模型用于电路仿真
A Simplified Behavioral MOSFET Model Based on Parameters Extraction for Circuit Simulations
| 作者 | Marek Turzynski · Wlodek J. Kulesza |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2016年4月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | 功率模块 可靠性分析 有限元仿真 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | MOSFET 行为建模 参数提取 电路仿真 寄生电容 电力电子 开关特性 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种通用MOSFET的行为建模方法，旨在满足电力电子系统在稳态和开关条件下的高精度仿真需求。该方法基于厂商数据手册，通过提取包括寄生电容非线性及稳态特性在内的关键参数，实现了高效且准确的电路仿真。
English Abstract
This paper presents results on behavior modeling of a general purpose metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) for simulation of power electronics systems requiring accuracy both in steady state and in switching conditions. Methods of parameters extraction, including nonlinearity of parasitic capacitances and steady-state characteristics, are based on manufacturer datasheet and e...
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SunView 深度解读
该研究对于阳光电源的核心产品线（如组串式/集中式光伏逆变器、PowerTitan储能变流器及电动汽车充电桩）具有极高的应用价值。在功率密度不断提升的背景下，高精度的MOSFET行为模型能显著优化开关损耗分析与电磁兼容（EMC）设计，缩短研发周期。建议研发团队将此参数提取方法集成至iSolarCloud配套的仿真工具链中，以提升对SiC/GaN等宽禁带半导体在复杂工况下开关行为的预测能力，从而进一步优化逆变器与PCS的效率及热设计可靠性。