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拓扑与电路 储能变流器PCS 储能系统 多电平 ★ 4.0

利用全桥模块化多电平变换器的负电压状态降低储能需求

Energy Storage Requirement Reduction Using Negative-Voltage States of a Full-Bridge Modular Multilevel Converter

Qiang Song · Wenbo Yang · Biao Zhao · Shukai Xu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年6月

本文研究了全桥子模块化多电平变换器(FB-MMC)中负电压状态的应用。通过详细分析电容电压纹波,证明了利用负电压状态可显著降低FB-MMC的储能需求。研究推导了相应的电容电压纹波及储能需求解析表达式,为优化变换器设计提供了理论依据。

解读: 该技术对阳光电源的储能系统(如PowerTitan、PowerStack系列)及大型光伏/储能变流器具有重要参考价值。FB-MMC拓扑因其模块化和高压大功率特性,常用于大型储能电站。通过优化负电压状态控制策略,可以在不增加硬件成本的前提下,有效降低子模块电容的储能需求,从而减小系统体积、降低成本并提...

拓扑与电路 储能变流器PCS 储能系统 多电平 ★ 4.0

单向电流H桥模块化多电平变换器的储能需求与低电容运行

Energy Storage Requirement and Low Capacitance Operation of Unidirectional Current H-Bridge Modular Multilevel Converters

Wenbo Yang · Qiang Song · Biao Zhao · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年12月

本文研究了单向电流H桥模块化多电平变换器(UCH-MMC)。由于其独特的单向电流和双极性电压特性,其运行区域和模式与传统半桥MMC不同。文章重点分析了其储能需求(ESR)及低电容运行特性,为优化变换器设计提供了理论依据。

解读: 该研究涉及的MMC拓扑及储能需求分析,对阳光电源PowerTitan和PowerStack等大型储能系统(ESS)的PCS架构优化具有重要参考价值。UCH-MMC通过减少半导体器件数量,有望进一步降低高压大功率储能变流器的成本与体积。建议研发团队关注该拓扑在提升功率密度和降低直流侧电容需求方面的潜力...

功率器件技术 GaN器件 功率模块 可靠性分析 ★ 4.0

一种用于共源共栅GaN结温分离的多电流方法

A Multi-Currents Method for Junction Temperature Separation of Cascode GaN

Lixin Wu · Erping Deng · Yanhao Wang · Shengqian Xu 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年12月

氮化镓(GaN)功率器件因高电子迁移率在功率转换系统中应用广泛。共源共栅(Cascode)结构因其低成本和优异特性被广泛采用。本文提出了一种多电流方法,用于精确分离Cascode GaN器件的结温,解决了现有技术在复杂结构下结温监测的难题,为提升功率模块的可靠性设计提供了理论支撑。

解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化储能产品中对功率密度要求的不断提升,GaN器件的应用前景广阔。Cascode GaN结构是实现高频化、小型化的关键技术路径。该文献提出的结温分离方法,能有效提升阳光电源在功率模块热设计和可靠性评估方面的精度,有助于优化iSolarCloud平台下的设备健康管理算法...

拓扑与电路 多电平 功率模块 储能变流器PCS ★ 4.0

一种基于单向电流H桥子模块及主动环流注入的MMC拓扑

An MMC Topology Based on Unidirectional Current H-Bridge Submodule With Active Circulating Current Injection

Wenbo Yang · Qiang Song · Shukai Xu · Hong Rao 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年5月

本文提出了一种基于单向电流H桥子模块(UCH-SM)的新型模块化多电平变换器(MMC)。该拓扑通过优化全桥子模块,在保持桥臂电流单向的前提下,引入主动环流注入(ACCI)技术。研究表明,该方案在减少开关器件数量的同时,有效提升了变换器的运行效率与控制灵活性。

解读: 该研究提出的UCH-MMC拓扑在减少开关器件数量的同时保持了多电平的高性能输出,对于阳光电源的集中式光伏逆变器及大型储能系统(如PowerTitan系列)具有重要参考价值。通过优化子模块设计,有望进一步降低大功率PCS的硬件成本并提升功率密度。建议研发团队关注该拓扑在电网侧储能及高压光伏并网场景下的...

功率器件技术 功率模块 ★ 2.0

一种无需磁开关的反向开关晶闸管(RSD)触发电路

A Trigger Circuit for the Reversely Switched Dynistor Without a Magnetic Switch

Aoming Ge · Zhiwei Kang · Ning Wang · Wenbo Yang 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年3月

反向开关晶闸管(RSD)是一种具备极高电流上升率和峰值电流承受能力的固态半导体开关。作为一种两端器件,RSD需通过反向预充电电流触发。本文提出了一种无需磁开关的RSD触发电路,旨在解决传统触发方案中磁开关体积大、响应慢的问题,提升了高功率脉冲应用中开关控制的紧凑性与可靠性。

解读: RSD属于高功率脉冲半导体器件,主要应用于超高功率密度或特种脉冲电源领域,与阳光电源目前主流的光伏逆变器(IGBT/SiC基)和储能PCS(PowerTitan/PowerStack)技术路线存在一定差异。该研究提出的无磁开关触发技术在提升功率密度方面具有参考价值,可关注其在未来超大功率特种电源或特...

拓扑与电路 多电平 并网逆变器 故障诊断 ★ 3.0

考虑故障电流换相的混合模块化多电平变换器直流故障清除过程动态模型

Dynamic Model of the DC Fault Clearing Process of a Hybrid Modular Multilevel Converter Considering Commutations of the Fault Current

Shukai Xu · Qiang Song · Yuebin Zhou · Jingwei Meng 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年7月

由半桥和全桥子模块组成的混合模块化多电平变换器(MMC)具备直流故障阻断能力。在远距离大功率输电场景下,线路存储的过剩能量会显著影响故障清除时间和全桥子模块电容的过电压水平。本文建立了考虑故障电流换相过程的动态模型,以精确分析故障清除过程中的暂态特性。

解读: 该研究聚焦于高压直流输电(HVDC)场景下的混合MMC拓扑及故障清除机制。虽然阳光电源目前的核心产品线(如组串式逆变器、PowerTitan储能系统)主要基于低压或中压侧,但随着公司向大型地面光伏电站及电网侧储能系统的深度布局,MMC技术在未来高压大功率并网及柔性直流输电领域具有潜在应用价值。该模型...

拓扑与电路 DC-DC变换器 充电桩 功率模块 ★ 4.0

一种用于电动汽车的高效率高功率密度车载低压DC-DC变换器

A High-Efficiency High-Power-Density On-Board Low-Voltage DC–DC Converter for Electric Vehicles Application

Xiang Zhou · Bo Sheng · Wenbo Liu · Yang Chen 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年11月

本文探讨了电动汽车车载低压DC-DC变换器(LDC),其连接高压电池与低压辅助系统。随着车载辅助设备的发展,LDC输出电流需求达到数百安培,导致高导通损耗及严峻的散热挑战。文章提出了一种高效率、高功率密度的LDC拓扑方案,旨在优化热管理并提升整体转换效率。

解读: 该技术对阳光电源的电动汽车充电桩及车载电源业务具有重要参考价值。随着电动汽车向高压平台演进,车载LDC对功率密度和散热性能的要求日益苛刻。阳光电源可借鉴文中提出的高效率拓扑及热管理优化方案,提升充电桩模块的集成度与可靠性。此外,该技术在双向DC-DC变换器设计上的思路,也可与阳光电源现有的储能PCS...

功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 4.0

一种具有自驱动电子积累层的新型4H-SiC/金刚石超结MOSFET,实现极低比导通电阻

A Novel 4H-SiC/Diamond SuperJunction MOSFET With Self-Driving Electron Accumulation Layer Realizing Extremely Low Ron,sp

Bo Yi · JunFeng Duan · Qian Zhang · ShengNan Zhu 等7人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年11月 · Vol.47

本文提出一种基于4H-SiC/金刚石超结结构并集成自驱动电子积累层(SD-EAL)的新型MOSFET,通过TCAD仿真验证其在1.6 kV耐压下比导通电阻低至0.75 mΩ·cm²,较传统超结降低36%,优值提升94%。

解读: 该器件显著优化高压SiC功率模块的导通损耗与功率密度,可直接赋能阳光电源ST系列PCS、PowerTitan储能系统及组串式逆变器中主功率开关的升级换代。建议在下一代1500V+高压平台产品中开展SiC/金刚石复合超结器件的封装适配与可靠性验证,优先用于高功率密度户用及工商业光储一体机,以提升系统效...