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基于BJT或MOSFET开关的自供电同步开关采集电路对比案例研究
Comparative Case Study on the Self-Powered Synchronous Switching Harvesting Circuits With BJT or MOSFET Switches
Weiqun Liu · Adrien Badel · Fabien Formosa · Caiyou Zhao 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年11月
本文针对压电振动能量采集中的自供电同步开关电路，对比研究了双极结型晶体管（BJT）与金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）在开关性能上的差异，旨在为高效能量采集电路的设计提供明确的选型依据。
解读: 该研究聚焦于微小功率下的能量采集电路拓扑与开关器件选型，虽然与阳光电源目前主营的大功率光伏逆变器、储能PCS及风电变流器在功率等级上差异巨大，但其关于自供电技术及开关损耗的对比分析，对公司研发部门在辅助电源系统（Auxiliary Power Supply）的低功耗设计、以及提升iSolarClou...
考虑珀尔帖效应和汤姆逊效应的4H-SiC GTO晶闸管改进热模型
Modified Thermal Model Considering Peltier Effect and Thomson Effect for 4H-SiC GTO Thyristors
Zihan Zhang · Lei Yuan · Yang Liu · Bo Peng 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年4月
碳化硅（SiC）门极可关断晶闸管（GTO）具有高电流密度、高阻断电压、高开关频率和优异的热阻等特点，非常适合作为脉冲功率系统中的脉冲开关。然而，其可靠性仍然是一个亟待关注的关键问题。目前关于SiC GTO热失效机制的研究有限，部分原因是忽略了p - n结电压对热分布的影响。在本研究中，对热力学模型中的塞贝克系数（S）进行了修改，首次考虑了4H - SiC GTO中由塞贝克效应引起的、以往被忽略的珀尔帖热和汤姆逊热。仿真分析表明，修改后的模型能更精确地捕捉到GTO阳极下方的局部热集中现象。修改后的...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项关于4H-SiC GTO晶闸管热模型优化的研究具有重要的战略参考价值。作为全球领先的新能源设备制造商，我们在光伏逆变器、储能变流器等核心产品中大量应用功率半导体器件，而SiC器件正是我们实现高功率密度、高效率产品设计的关键技术路径。 该研究首次在热模型中引入Pelti...