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负偏压下阈值电压不稳定性和具有铁电电荷俘获栅堆叠的GaN三栅HEMT器件的栅极可靠性
Negative bias threshold voltage instability and gate reliability in GaN tri-gate HEMTs with ferroelectric charge-trap gate stack
Rahul Rai · Khanh Quoc Nguyen · Hung Duy Tran · Viet Quoc Ho · Applied Physics Letters · 2025年9月 · Vol.127
本文研究了采用铁电电荷俘获栅堆叠的GaN三栅高电子迁移率晶体管（HEMT）在负偏压应力下的阈值电压不稳定性及栅极可靠性。实验结果表明，负栅偏压导致显著的阈值电压漂移，主要源于栅介质中电荷俘获态的动态响应及铁电层的极化翻转。通过温度依赖性和时间演化分析，揭示了界面态和体陷阱的协同作用机制。该工作为理解高密度电荷俘获栅堆叠中的可靠性退化机理提供了依据，并对增强型GaN功率器件的稳定性优化具有指导意义。
解读: 该研究对阳光电源的GaN功率器件应用具有重要参考价值。铁电电荷俘获栅堆叠结构的阈值电压稳定性问题直接影响SG系列高频逆变器和ST系列储能变流器的可靠性。研究发现的界面态和体陷阱协同作用机理,有助于优化我司新一代GaN器件的栅极设计,提升产品稳定性。特别是对1500V大功率系统和车载OBC等高频应用场...
永磁同步电机驱动的自适应PID速度控制设计
Adaptive PID Speed Control Design for Permanent Magnet Synchronous Motor Drives
Jin-Woo Jung · Viet Quoc Leu · Ton Duc Do · Eun-Kyung Kim 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年2月
本文提出了一种用于永磁同步电机（PMSM）驱动的自适应PID速度控制方案。该控制器由解耦项、PID项和监督项组成。解耦项用于补偿非线性因素，PID项实现控制增益的自动调节，监督项进一步优化系统性能。
解读: 该研究提出的自适应PID控制策略在电机驱动领域具有通用性，对阳光电源的电动汽车充电桩及相关电机驱动控制系统具有参考价值。通过引入解耦项和监督项，可显著提升电机在宽转速范围内的动态响应速度和稳态精度。建议研发团队将其应用于充电桩内部的冷却风扇电机控制或未来潜在的电动汽车车载充电机（OBC）及电机驱动系...