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功率器件技术 IGBT 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

功率MOSFET和IGBT晶体管的热阻抗测量仪

Thermal Impedance Meter for Power mosfet and IGBT Transistors

Vitaliy Ivanovich Smirnov · Viacheslav Andreevich Sergeev · Andrey Anatolievich Gavrikov · Anton Mihailovich Shorin · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年7月

本文介绍了一种用于功率MOSFET和IGBT热阻抗测量的调制方法及装置。通过谐波变化的功率对被测器件进行加热,利用脉冲宽度呈谐波变化的加热电流序列,实现了对器件热阻抗的精确测量,并给出了实验验证结果。

解读: 该技术对阳光电源的核心产品线至关重要。功率模块(IGBT/SiC)是光伏逆变器和储能变流器(PCS)中热失效的高发区。通过引入该热阻抗测量方法,研发团队可更精准地评估PowerTitan储能系统及组串式逆变器中功率模块的结温特性,优化散热设计与寿命预测模型。建议将此测试方法集成至iSolarClou...