Van Hove · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

研究了电感耦合等离子体刻蚀中射频（RF）偏置功率对n型欧姆接触电学特性的影响。通过降低RF偏置功率，在n-Al0.70Ga0.30N上实现了高质量的n型欧姆接触，比接触电阻率低至1.2×10−4 Ω·cm2。结果表明，低功率刻蚀在刻蚀表面引入的受主态缺陷较少，不仅减轻了对电子的补偿效应，还抑制了表面氧化程度，从而为改善金属-半导体接触的电学性能提供了有利条件。

解读: 该高铝组分AlGaN欧姆接触优化技术对阳光电源功率器件应用具有重要价值。研究通过降低ICP刻蚀RF偏置功率，将比接触电阻率降至1.2×10⁻⁴ Ω·cm²，可直接应用于ST储能变流器和SG光伏逆变器中的GaN功率器件制造。低接触电阻能显著降低器件导通损耗，提升三电平拓扑和高频开关电路效率。该工艺抑制...