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功率器件技术 DC-DC变换器 功率模块 多电平 ★ 3.0

串联IGCT在谐振变换器中的高频运行

High-Frequency Operation of Series-Connected IGCTs for Resonant Converters

Gabriele Ulissi · Umamaheswara Reddy Vemulapati · Thomas Stiasny · Drazen Dujic · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年5月

串联集成门极换流晶闸管(IGCT)常用于兆瓦级硬开关功率变换器。由于IGCT具有低导通损耗的优势,将其应用于中压DC-DC谐振变换器具有重要价值。本文旨在深入研究该器件在串联配置下的高频运行行为。

解读: 该研究探讨的串联IGCT技术主要针对兆瓦级中压应用,与阳光电源的集中式光伏逆变器及大型储能系统(如PowerTitan系列)的功率变换技术路径存在交叉。虽然目前阳光电源主流产品多采用IGBT或SiC模块,但随着中压直挂(MV-DC)光储系统需求的增长,IGCT在超大功率、高压场景下的低导通损耗特性具...

功率器件技术 功率模块 多电平 ★ 3.0

谐振IGCT软开关:零电压开关还是零电流开关?

Resonant IGCT Soft-Switching: Zero-Voltage Switching or Zero-Current Switching?

Gabriele Ulissi · Jakub Kucka · Umamaheswara Reddy Vemulapati · Thomas Stiasny 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年9月

过去三十年,集成门极换流晶闸管(IGCT)凭借其在MW级中压硬开关应用中的低导通损耗优势,成为关键功率器件。本文探讨了将IGCT应用于中频DC-DC变换器等场景时,通过软开关技术(ZVS或ZCS)提升系统效率与频率的可行性与技术路径。

解读: IGCT作为大功率电力电子器件,主要应用于MW级中压领域。对于阳光电源而言,该技术主要关联集中式光伏逆变器及大型储能系统(如PowerTitan系列)的功率模块升级。虽然目前阳光电源主流产品多采用IGBT或SiC模块,但随着光储系统向更高电压等级(如1500V/3000V)及更高功率密度演进,研究I...

功率器件技术 功率模块 可靠性分析 热仿真 ★ 3.0

一种利用门极-阴极电压提取IGCT导通期间结温的准确方法

A Method to Extract the Accurate Junction Temperature of an IGCT During Conduction Using Gate–Cathode Voltage

Umamaheswara Reddy Vemulapati · Enea Bianda · Daniele Torresin · Martin Arnold 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2016年8月

本文提出了一种通过测量集成门极换流晶闸管(IGCT)门极-阴极电压,在器件导通状态下准确提取结温的新方法。研究表明,门极-阴极电压是阳极电流和结温的函数,该方法为实现功率器件的实时热监测提供了简便有效的技术路径。

解读: 虽然阳光电源目前的主流产品(如组串式/集中式逆变器、PowerTitan储能系统)主要采用IGBT或SiC MOSFET技术,而非IGCT,但该研究提出的“基于电参数(门极电压)进行结温监测”的思路具有极高的参考价值。在阳光电源的高功率密度产品设计中,实时结温监测是提升功率模块可靠性和寿命预测的关键...

功率器件技术 IGBT SiC器件 功率模块 ★ 5.0

硅基IGBT与碳化硅MOSFET交叉开关混合技术特性研究

Characterization of a Silicon IGBT and Silicon Carbide MOSFET Cross-Switch Hybrid

Munaf Rahimo · Francisco Canales · Renato Amaral Minamisawa · Charalampos Papadopoulos 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年9月

本文实验验证了一种硅基IGBT与碳化硅(SiC)MOSFET并联的交叉开关(XS)混合方案。该技术旨在通过结合双极型Si IGBT的低导通损耗优势与单极型SiC MOSFET的快速开关特性,优化功率器件的静态与动态损耗,从而提升整体电气与热性能。

解读: 该混合开关技术对阳光电源的核心产品线具有重要战略意义。在组串式光伏逆变器和PowerTitan/PowerStack储能变流器(PCS)中,通过Si IGBT与SiC MOSFET的混合应用,可以在不完全依赖昂贵全SiC方案的前提下,显著降低开关损耗并提升功率密度,从而优化系统散热设计和整机效率。建...