Tung Ngoc Nguyen · Handy Fortin Blanchette · Ruxi Wang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年8月

功率变换器中，高频噪声通过隔离屏障的寄生电容耦合至低压控制板，影响信号完整性。随着SiC和GaN等宽禁带半导体技术的应用，开关频率高达100MHz，使得噪声传播路径分析变得复杂。本文提出了一种基于测量的无源器件通用阻抗表示方法，旨在准确建模高频噪声路径，提升电力电子系统的电磁兼容性与控制稳定性。

解读: 该研究对阳光电源的核心产品线（如组串式逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器）具有重要意义。随着公司全面转向SiC功率器件以提升功率密度和效率，高频开关带来的EMI（电磁干扰）和信号完整性挑战日益严峻。该阻抗建模方法可应用于公司研发阶段的PCB布局优化与滤波器设计，有效抑制高频噪声对控制板...