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硅功率二极管中子诱发单粒子烧毁的观测与分析
Observation and Analysis of Neutron-Induced Single-Event Burnout in Silicon Power Diodes
Tomoyuki Shoji · Shuichi Nishida · Kimimori Hamada · Hiroshi Tadano · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年5月
本文利用切片观察技术研究了硅功率二极管中子诱发的单粒子烧毁（SEB）现象，揭示了环形微孔的形成机制。通过热扩散方程推导了SEB过程中局部温升的解析公式，证实了损伤区域的轴对称性源于各向同性的热扩散，为功率器件在极端环境下的可靠性评估提供了理论依据。
解读: 功率器件的可靠性是阳光电源逆变器及储能系统（如PowerTitan、ST系列PCS）的核心竞争力。SEB现象在户外高海拔或极端环境下对硅基功率器件构成潜在威胁。本文提出的热扩散分析方法及损伤观测技术，可指导阳光电源研发团队在器件选型、功率模块封装设计及散热优化中，更精准地评估器件在辐射环境下的鲁棒性...
SiC MOSFET短路耐受能力对短路失效时间的依赖性
Dependence of Short-Circuit Withstand Capability of SiC MOSFETs on Short-Circuit Failure Time
Tomoyuki Shoji · Makoto Kuwahara · Masanori Usui · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年10月
本文旨在阐明SiC MOSFET的短路失效机理，特别是栅极相邻层间电介质的机械失效。研究建立了短路耐受能力与短路失效时间之间的关系，并根据失效时间对失效模式进行了分类，为提升功率器件在极端工况下的可靠性提供了理论依据。
解读: 随着阳光电源在组串式逆变器、PowerTitan储能系统及电动汽车充电桩中大规模应用SiC MOSFET以提升功率密度和效率，器件的可靠性成为核心挑战。本文揭示的短路失效机理及失效模式分类，对阳光电源研发团队优化驱动保护电路、设定合理的短路保护阈值具有重要指导意义。建议将该研究成果应用于功率模块的选...