Tommaso Cappello · Alberto Santarelli · Corrado Florian · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年4月

GaN功率开关凭借高功率密度、低寄生参数和优异的热处理能力，在高效紧凑型DC/DC变换器中应用广泛。尽管GaN HEMT器件具有出色的沟道导电性，但其动态导通电阻（RON）在工作过程中会发生退化。本文提出了一种动态RON表征技术，旨在评估GaN器件在热应力和关断电压应力下的性能表现，为提升电力电子系统的可靠性提供理论支撑。

解读: GaN作为宽禁带半导体，是实现阳光电源产品高功率密度化的关键。该技术对于优化户用光伏逆变器及小型化充电桩中的DC/DC变换级设计具有重要参考价值。动态RON的精确表征能有效指导高频开关下的热管理设计，提升PowerStack等储能系统及充电桩功率模块的长期可靠性。建议研发团队关注该表征方法，将其引入...