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一种用于三电平T型逆变器容错运行的载波PWM方法
A Carrier-Based PWM for Three-Level T-Type Inverter to Tolerate Open-Circuit Fault
Tzung-Lin Lee · Bing-Feng Li · Meng-Ying Yang · Yue-Ting Tsai · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年10月
本文研究了三电平T型逆变器功率开关管的开路故障，提出了一种新型容错控制策略。通过检测三相电流及中点电压变化实现故障开关定位，并开发了一种基于载波的PWM调制方法，通过将三电平模式切换为两电平模式实现故障容错运行。
解读: T型三电平拓扑是阳光电源组串式逆变器（如SG系列）及部分大功率储能变流器（PCS）的核心技术方案。该研究提出的故障诊断与容错控制策略，对于提升光伏及储能系统在极端工况下的可靠性具有重要意义。通过在故障发生时平滑切换至两电平运行，可有效避免系统停机，提升电站可用率。建议研发团队将此算法集成至iSola...
用于Ka波段低压无线通信应用的高性能AlN/GaN/AlN/GaN双通道鳍式HEMT
High Performance AlN/GaN/AlN/GaN Double Channel Fin-HEMT For Ka-band Low Voltage Wireless Communication Applications
Can Gong · Minhan Mi · Yuwei Zhou · Ting Meng 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年11月
在本文中，提出了一种用于Ka波段低压移动通信应用的高性能AlN/GaN/AlN/GaN双沟道鳍式高电子迁移率晶体管（DCF - HEMT）。得益于鳍式结构，所制备的DCF - HEMT展现出了改善的关态栅极控制特性。该晶体管的薄层电阻（$R_{\mathrm{SH}}$）低至$174 \Omega /$□，源漏间距短至$1.5 \mu \mathrm{~m}$，AlN/GaN/AlN/GaN DCF - HEMT实现了高达$2613 \mathrm{~mA} / \mathrm{mm}$的最大电...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这篇关于AlN/GaN双沟道Fin-HEMT器件的研究虽然聚焦于Ka波段无线通信应用，但其核心技术突破对我司功率电子产品具有重要的借鉴价值和潜在应用前景。 该器件展现的技术特性与我司光伏逆变器、储能变流器等核心产品的技术需求存在显著契合点。首先，双沟道结构实现的低薄层电阻...