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基于新型载波调制与逻辑功能的三相飞跨电容光伏逆变器漏电流抑制
Leakage Current Suppression of Three-Phase Flying Capacitor PV Inverter With New Carrier Modulation and Logic Function
Xiaoqiang Guo · Baoze Wei · Tieying Zhu · Zhigang Lu 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年3月
本文研究了无变压器三相飞跨电容光伏逆变器的漏电流抑制技术。通过建立系统共模模型，分析了漏电流产生机理，并提出了一种新型载波调制策略与逻辑功能，有效抑制了漏电流，提升了系统性能。
解读: 该研究针对无变压器三相飞跨电容逆变器，通过调制策略优化解决漏电流问题，这对阳光电源的组串式逆变器技术路线具有重要参考价值。飞跨电容（FC）多电平拓扑在提升功率密度和降低输出谐波方面优势显著，能够进一步优化阳光电源工商业及大型地面电站逆变器的体积与效率。建议研发团队评估该调制逻辑在现有SG系列组串式逆...
基于帽层设计的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管电学性能研究
Study on electrical performance of AlGaN/GaN high electron mobility transistor based on cap layer design
Tieying Zhang · Peng Cui · Xin Luo · Siheng Chen 等11人 · Solid-State Electronics · 2025年2月 · Vol.224
摘要 本研究探讨了不同帽层对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMTs）电学特性的影响。通过对比制备的具有GaN和AlN帽层的AlGaN/GaN HEMTs，发现AlN帽层由于其优异的钝化效果和极化效应，能够提高二维电子气（2DEG）密度，从而获得更高的饱和电流，并使击穿电压从615 V（GaN帽层）提升至895 V（AlN帽层）。Sentaurus TCAD仿真结果验证了上述实验发现，表明AlN帽层器件中形成了更深的三角形量子势阱，导致2DEG电子密度达到1.19 × 10^13 cm^...
解读: 该AlN帽层GaN HEMT技术对阳光电源功率器件应用具有重要价值。研究显示AlN帽层可将击穿电压提升至895V，梯度帽层结构更达1308V，2DEG密度提升28%。这为我司SG系列光伏逆变器、ST储能PCS及充电桩的GaN功率模块设计提供优化方向：通过改进帽层结构可提升器件耐压等级和导通性能，支持...