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功率器件技术 GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 3.0

基于跨象限运行的GaN HEMT E类功率放大器功率转换能力增强

Enhanced Power Conversion Capability of Class-E Power Amplifiers With GaN HEMT Based on Cross-Quadrant Operation

Xianglin Hao · Jianlong Zou · Ke Yin · Xikui Ma 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年11月

E类功率放大器因其高效率广泛应用于兆赫兹频率功率转换系统。本文提出了一种基于GaN HEMT的跨象限模式E类放大器,旨在解决该类放大器在实现高功率密度与高效率平衡方面的技术挑战,通过优化器件运行特性提升功率转换能力。

解读: 该技术主要针对高频功率转换领域,虽然目前阳光电源的组串式逆变器和PowerTitan储能系统主要采用SiC或IGBT技术,但随着电力电子向高频化、小型化发展,GaN器件在高频辅助电源、驱动电路或未来微型逆变器中的应用潜力巨大。建议研发团队关注该跨象限运行模式,评估其在提升辅助电源功率密度及降低开关损...