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功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 可靠性分析 ★ 4.0

无线大功率传输中SiC MOSFET结温波动抑制策略的分析、设计与实现

Analysis, Design, and Implementation of Junction Temperature Fluctuation Tracking Suppression Strategy for SiC MOSFETs in Wireless High-Power Transfer

Ruoyin Wang · Linlin Tan · Chengyun Li · Tianyi Huang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年1月

为提升电动汽车无线充电(WPT)系统的可靠性并减少SiC MOSFET的热疲劳失效,本文提出了一种结温波动抑制策略。针对当前WPT系统缺乏主动热管理的问题,文章分析并设计了相应的控制方案,旨在通过抑制结温波动来延长功率器件的使用寿命。

解读: 该研究聚焦于SiC MOSFET的主动热管理,对阳光电源的功率器件应用具有重要参考价值。在阳光电源的电动汽车充电桩及高功率密度光伏/储能逆变器(如PowerTitan系列)中,SiC器件已广泛应用。通过引入结温波动抑制策略,可有效降低器件热应力,显著提升系统在极端工况下的可靠性与使用寿命。建议研发团...