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一种基于双端口S参数测量提取SiC功率MOSFET寄生电感的新表征技术
A New Characterization Technique for Extracting Parasitic Inductances of SiC Power MOSFETs in Discrete and Module Packages Based on Two-Port S-Parameters Measurement
Tianjiao Liu · Thomas T. Y. Wong · Z. John Shen · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年11月
SiC功率MOSFET的寄生电感严重影响开关性能，导致振荡、损耗及电磁干扰。本文提出了一种基于双端口S参数测量的新技术，可精确表征分立器件及功率模块中的寄生电感，为优化电力电子系统设计提供关键参数支持。
解读: 该技术对阳光电源的核心业务具有极高价值。在PowerTitan储能系统及组串式光伏逆变器中，SiC器件的广泛应用对开关速度和损耗控制提出了更高要求。通过精确提取寄生电感，研发团队可优化PCB布局与驱动电路设计，有效抑制开关振荡，提升系统效率并降低EMI风险。建议将此表征技术引入功率模块选型测试及逆变...
一种用于超快直流故障保护的串联型混合断路器概念
A Series-Type Hybrid Circuit Breaker Concept for Ultrafast DC Fault Protection
Zheng John Shen · Yuanfeng Zhou · Risha Na · Triston Cooper 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年6月
本文提出了一种新型串联型混合断路器（S-HCB）概念，用于直流故障保护。与现有混合断路器或固态断路器不同，S-HCB通过金属导线传导负载电流而非电力电子开关，在整个开断过程中将故障电流限制在接近零的水平，实现了高效的直流故障切除。
解读: 该技术对阳光电源的直流侧保护具有重要意义。在PowerTitan及PowerStack等大型储能系统以及高压光伏直流汇流场景中，直流故障的快速切除是提升系统安全性的关键。传统的断路器方案往往存在损耗大或响应速度受限的问题，而该S-HCB概念通过金属导线传导电流，能有效降低稳态损耗，同时实现超快故障保...