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厚度对物理蒸发TiO2薄膜及其硅基n-TiO2/p-Si异质结结构的光学和电学性能的影响
Role of thickness on the optical and electrical properties of physically evaporated TiO2 thin films and silicon-based n-TiO2/p-Si heterojunction (HJ) configurations
The TiO2 thin film layers composed of the grain regions with different size · shapes. Figure 2 shows the FE-SEM images of the nanostructured TiO2 film used on the p-Si · glass substrates. The surface morphology of the TiO2 thin film with a thickness of 150 nm · Journal of Materials Science: Materials in Electronics · 2025年1月 · Vol.36.0
通过物理蒸发TiO2粉末制备了厚度约为50、100和150 nm的TiO2薄膜及其n-TiO2/p-Si异质结（HJs）。比较了厚度对异质结二极管电学性能及薄膜光学性能的影响。采用扫描电子显微镜（SEM）图像确定了薄膜的形貌粗糙度和颗粒特征。薄膜的紫外-可见光谱显示，随着厚度增加，光学透过率和带隙值降低，而折射率、消光系数和Urbach能量则升高。厚度为50 nm的TiO2薄膜具有相对较高的FOM值，达7.99 × 10–5 Ω−1。通过电流-电压（I–V）以及电容/电导-电压（C/G–V）测量...
解读: 该TiO2/Si异质结薄膜研究对阳光电源SiC功率器件封装及光伏逆变器优化具有参考价值。研究表明50nm薄膜具有最优光电特性,界面态密度低至2×10¹⁷eV⁻¹cm⁻²,可启发ST系列储能变流器中SiC器件的钝化层设计,降低界面损耗。异质结势垒调控技术可应用于三电平拓扑的功率半导体优化,提升SG系列...