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排序:
功率器件技术
SiC器件
宽禁带半导体
功率模块
★ 5.0
在SiC基逆变器中使用反并联SiC SBD的准则
Criteria for Using Antiparallel SiC SBDs With SiC mosfets for SiC-Based Inverters
Koji Yamaguchi · Kenshiro Katsura · Tatsuro Yamada · Yukihiko Sato · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年1月
本文证实，在基于碳化硅（SiC）的逆变器中移除反并联SiC肖特基势垒二极管（SBD）不仅不会对逆变器损耗和电磁干扰（EMI）产生负面影响，反而能在多数情况下降低损耗并减少噪声排放，从而为提升功率密度提供了技术路径。
解读: 该研究对阳光电源的组串式光伏逆变器及PowerTitan系列储能变流器（PCS）具有重要指导意义。通过优化SiC功率模块的内部封装设计，去除冗余的SBD，不仅能降低物料成本，还能显著提升整机效率和功率密度，助力产品小型化。建议研发团队在下一代高频SiC逆变器设计中评估该方案，利用SiC MOSFET...