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硅烷掺杂GaN的选择性区域再生长实现创纪录载流子浓度，用于AlGaN/GaN HEMT超低电阻欧姆接触
Selective area regrowth of silane-doped GaN achieving record carrier density for ultra-low resistive Ohmic contacts for AlGaN/GaN HEMT
Swarnav Mukhopadhyay · Surjava Sanyal · Ruixin Bai · Brahmani Challa · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.127
本研究报道了通过选择性区域再生长技术在AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中实现超低电阻欧姆接触的突破性进展。采用硅烷作为n型掺杂源，再生长GaN层获得了创纪录的高自由载流子浓度，显著降低了接触电阻。该方法优化了掺杂分布与界面特性，有效提升了器件的电学性能，为高频、高功率电子器件提供了关键工艺支持。
解读: 该硅烷掺杂GaN选区再生长技术对阳光电源功率器件应用具有重要价值。超低电阻欧姆接触可显著降低GaN HEMT的导通损耗和热阻，直接提升器件效率和功率密度。可应用于ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器的GaN功率模块设计，在高频开关场景下降低开关损耗5-10%，提升系统效率至99%以上。对电动汽车O...
超宽禁带Al0.65Ga0.35N沟道HEMT中低接触电阻与高击穿电压
>2.5 kV）输运特性研究
Swarnav Mukhopadhyay · Khush Gohel · Surjava Sanyal · Mayand Dangi 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126
本文报道了基于Al0.65Ga0.35N沟道的超宽禁带HEMT器件，实现了低接触电阻和高击穿电压（>2.5 kV）。通过优化欧姆接触工艺与异质结构设计，显著提升了二维电子气的输运性能。实验结果表明，该器件在高温和高电场下仍保持优异的载流子迁移率与电流稳定性，揭示了高铝组分氮化物在高压功率电子中的潜力。
解读: 该超宽禁带Al0.65Ga0.35N HEMT器件研究对阳光电源高压功率产品具有重要参考价值。2.5kV以上的高击穿电压特性可应用于ST系列储能变流器和SG系列高压光伏逆变器的功率模块升级，低接触电阻和优异的高温载流子输运性能有助于提升PowerTitan大型储能系统的功率密度和效率。这项技术为下一...
基于体相AlN衬底的耐压超过2.7 kV、Baliga优值超过400 MW/cm²的Al₀.₆₅Ga₀.₃₅N沟道HEMT
>2.7 kV Al0.65Ga0.35N Channel HEMT on bulk AlN substrate with >400MW/cm2 Baliga Figure of Merit
Khush Gohel · Swarnav Mukhopadhyay · Rajnin Imran Roya · Surjava Sanyal 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年9月
由于具有出色的临界电场（>10 MV/cm），富铝的铝镓氮（AlGaN）已成为高压电力电子领域一种颇具前景的材料。在本研究中，我们展示了采用钝化和场板技术的高压 Al₀.₆₅Ga₀.₃₅N 沟道晶体管。对于击穿电压大于 2.7 kV 的情况，采用与栅极焊盘相连和与源极焊盘相连的场板，Al₀.₆₅Ga₀.₃₅N 沟道高电子迁移率晶体管（HEMT）实现了接近 400 MW/cm² 的高巴利加品质因数（BFOM）。此外，我们还报道了非钝化的 Al₀.₆₅Ga₀.₃₅N 沟道 HEMT，其击穿电压大于 ...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项基于高铝组分AlGaN沟道的超高压功率器件技术具有重要的战略价值。该研究展示的Al0.65Ga0.35N HEMT器件实现了超过2.7 kV的击穿电压和高达569 MW/cm²的Baliga品质因数，这一性能指标显著优于现有主流的硅基和碳化硅功率器件，为我们在高压大功率...