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具有新结构和平顶开关电压波形的E类功率放大器设计
Design of Class E Power Amplifier with New Structure and Flat Top Switch Voltage Waveform
Mohsen Hayati · Sobhan Roshani · Saeed Roshani · Marian K. Kazimierczuk 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年3月
本文提出了一种新型E类功率放大器（PA）拓扑。该拓扑改进了传统E类PA的输出电路，通过在谐振电容和移相电感之间增加额外的并联电容，实现了平顶开关电压波形，旨在提升功率转换效率并降低开关损耗。
解读: 该研究聚焦于高频功率放大器拓扑优化，主要应用于射频或极高频电力电子变换领域。对于阳光电源目前的组串式/集中式光伏逆变器及储能PCS产品线而言，其主流拓扑仍以PWM变换为主，该技术目前相关度较低。然而，随着宽禁带半导体（SiC/GaN）应用频率的提升，未来在超高功率密度的小型化户用逆变器或辅助电源设计...
考虑任意结电容梯度系数的MOSFET非线性漏源及栅漏电容的E类功率放大器设计
A Class-E Power Amplifier Design Considering MOSFET Nonlinear Drain-to-Source and Nonlinear Gate-to-Drain Capacitances at Any Grading Coefficient
Mohsen Hayati · Sobhan Roshani · Marian K. Kazimierczuk · Hiroo Sekiya · IEEE Transactions on Power Electronics · 2016年11月
本文提出了一种考虑MOSFET非线性栅漏电容和漏源电容的E类功率放大器设计理论。通过引入任意结电容梯度系数，精确描述了MOSFET寄生电容的非线性特征。研究表明，若设计中忽略梯度系数，将导致开关电压波形偏离理想状态，影响变换器效率。
解读: 该研究聚焦于高频开关电路中功率器件寄生参数的精确建模，对阳光电源的户用光伏逆变器及微型逆变器产品具有参考价值。随着逆变器向高功率密度和高开关频率方向发展，精确的非线性电容建模有助于优化软开关（ZVS）设计，降低开关损耗，提升整机效率。建议研发团队在开发下一代基于GaN或SiC的高频变换器时，引入该非...