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一种基于耦合LC缓冲器的移相功率传输电压型软开关推挽拓扑
A Voltage-Fed Soft-Switched Push–Pull Topology With Phase-Shifted Power Transfer Using Coupled LC Snubber
Mandeep Singh Rana · Sneha Suresh · Santanu K. Mishra · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年12月
本文提出了一种基于推挽变换器的电压型零电压开关（ZVS）拓扑。该变换器利用变压器漏感实现功率传输，并采用移相调制策略控制功率流。通过耦合LC再生缓冲电路，回收漏感中的陷阱能量，显著提升了变换效率。
解读: 该拓扑通过移相控制和漏感能量回收技术，有效提升了推挽变换器的效率与功率密度，对于阳光电源的户用储能系统（如住宅用电池逆变器）及小型DC-DC变换模块具有重要参考价值。推挽拓扑在低压侧应用广泛，该软开关技术能显著降低开关损耗，有助于优化ST系列PCS或户用储能产品的体积与散热设计。建议研发团队关注其在...
高K介质包裹GaN环栅场效应管在IoT系统中的高频器件设计与分析
Design and Analysis of High-K Wrapped GaN GAA FET as High-Frequency Device in IOT Systems
Sneha Singh · Rudra Sankar Dhar · Amit Banerjee · Vinay Gupta · IEEE Access · 2025年4月
基于氮化镓GaN的栅堆叠GS环绕栅场效应管GAA FET因其卓越材料特性如高电子迁移率、宽禁带和优越热稳定性，成为下一代节能电子设备有前途候选。本研究聚焦GaN基GAA FET的直流和交流性能评估，结合高k介电间隔层和源漏欠覆盖工程。直流分析参数如亚阈值斜率、阈值电压、漏电流、泄漏电流和电流比。相比所提2nm技术节点IRDS2025，关态泄漏电流降低约95%、开关比提升约606%。此外，亚阈值摆幅优化约65mV/decade，表明卓越泄漏控制和开关性能。交流分析评估关键品质因数包括跨导、截止频率...
解读: 该GaN器件技术对阳光电源功率半导体研发具有重要参考价值。阳光在储能变流器和光伏逆变器中应用GaN器件追求更高开关频率和更低损耗。该研究的高k介质间隔层和欠覆盖设计可启发阳光GaN功率器件优化，降低寄生电容，提升开关速度103%。在高频应用中，该器件的低亚阈值摆幅（65mV/decade）和高开关比...