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一种结合耦合电感与谐振开关电容的高升压PWM DC-DC变换器
A High Step-up PWM DC-DC Converter With Coupled-Inductor and Resonant Switched-Capacitor
Yuanmao Ye · K. W. E. Cheng · Sizhe Chen · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年10月
本文提出了一种集成耦合电感与开关电容（SC）技术的新型高升压PWM DC-DC变换器。该变换器由同步整流Boost单元和多个耦合电感-SC单元组成，结构易于扩展以实现超高电压增益，且有效降低了二极管的电压应力。
解读: 该拓扑结构通过耦合电感与开关电容的结合，在实现高升压比的同时优化了器件电压应力，这对阳光电源的组串式光伏逆变器（尤其是针对高压组件的MPPT前端）及储能系统（PCS）的DC-DC升压级具有重要参考价值。高效率的升压转换能有效提升逆变器功率密度并降低散热成本。建议研发团队评估该拓扑在PowerTita...
采用MeV级JFET注入和高效终端结构的高性能10-kV额定175-mΩ 4H-SiC MOSFET
High-Performance 10-kV-Rated, 175-mΩ 4H-SiC MOSFETs With MeV JFET Implantation and Efficient Termination
Lingxu Kong · Sizhe Chen · Na Ren · Manyi Ji 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年6月
本文介绍了高性能 10 kV 额定、175 mΩ 4H - SiC 金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管（MOSFET）的成功研发。该器件的结型场效应晶体管（JFET）设计宽度为 0.8 - 1.2 μm，有源区面积为 0.67 cm²，芯片尺寸为 1 cm²。该器件采用了总长度为 350 μm 的三区结终端扩展（3 - JTE）结构，展现出超过 12 kV 的卓越阻断性能。高压碳化硅（SiC）MOSFET 设计中的一个关键挑战是平衡缩小 JFET 宽度（$W_{JFET}$）——这对于降低...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项10kV级SiC MOSFET技术突破具有重要的战略价值。该器件实现了175mΩ的超低导通电阻和12kV以上的阻断性能，这对我们在光伏逆变器和储能系统中追求更高功率密度和效率的目标高度契合。 在光伏逆变器应用中，10kV级器件可支持更高的直流母线电压（如1500V系统...