找到 4 条结果

排序:
功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

外延高介电势垒AlBN/GaN高电子迁移率晶体管

Epitaxial high-K barrier AlBN/GaN HEMTs

Chandrashekhar Savant · Kazuki Nomoto · Saurabh Vishwakarma · Siyuan Ma · Applied Physics Letters · 2025年3月 · Vol.126

报道了一种基于外延生长的高介电常数(high-K)AlBN势垒层的GaN基高电子迁移率晶体管(HEMTs)。通过分子束外延技术实现了高质量AlBN与GaN之间的异质集成,显著增强了极化诱导的二维电子气浓度。该器件展现出优异的栅控能力、高击穿电压和低泄漏电流,得益于AlBN的高导带偏移和大带隙特性。研究为下一代高频、高功率电子器件提供了具有潜力的材料平台和技术路径。

解读: 该AlBN/GaN HEMT技术对阳光电源功率器件升级具有重要参考价值。高介电常数势垒层设计可提升GaN器件的栅控性能和击穿电压,有助于开发更高效的功率开关管。这项技术可应用于SG系列高频光伏逆变器和ST系列储能变流器的功率级设计,提升系统功率密度。特别是在1500V大功率系统中,该技术有望降低开关...

控制与算法 PWM控制 多电平 DC-DC变换器 ★ 4.0

多单元功率变换器的增强型单周期控制

Enhanced One-Cycle Control for Multicell Power Converters

Guidong Zhang · Siyuan Zou · Samson Shenglong Yu · Si-Zhe Chen 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年8月

本文提出了一种用于高增益多单元变换器的增强型单周期控制(EOCC)策略。该方法解决了传统单周期控制在负载扰动下鲁棒性差及难以应用于多单元拓扑的问题,在有效抑制输入扰动的同时,提升了系统的动态响应性能与控制精度。

解读: 该研究提出的EOCC策略在多电平及多单元变换器拓扑中具有显著的控制优势,与阳光电源的PowerTitan系列液冷储能系统及大功率组串式逆变器高度契合。随着光伏与储能系统向高压、高功率密度方向发展,多电平拓扑应用日益广泛。该控制算法能有效提升系统在复杂电网环境下的抗干扰能力和动态响应速度,建议研发团队...

控制与算法 DC-DC变换器 微电网 储能系统 ★ 4.0

基于规定时间一致性观测器的舰船直流微电网并联DC-DC变换器分布式经济协调控制器

Distributed Economic Coordination Controller for Parallel DC–DC Converters in Shipboard DC Microgrids Based on Prescribed-Time Consensus Observer

Yuji Zeng · Qinjin Zhang · Herbert H. C. Iu · Heyang Yu 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月

针对舰船直流微电网中传统集中式能量管理策略存在的成本高、可靠性低及扩展性差等问题,本文提出了一种基于规定时间一致性观测器的分布式经济协调控制方法。该方法实现了多并联DC-DC变换器在规定时间内达到功率分配最优,有效解决了优化层与控制层的时间尺度解耦问题,提升了系统的响应速度与鲁棒性。

解读: 该研究提出的分布式协调控制与规定时间一致性算法,对阳光电源的PowerTitan及PowerStack等储能系统具有重要的参考价值。在多机并联运行场景下,分布式控制能有效降低对中央控制器的依赖,提升系统的容错能力和扩展性。建议研发团队关注该算法在储能变流器(PCS)并联控制中的应用,通过优化多台PC...

功率器件技术 GaN器件 宽禁带半导体 可靠性分析 ★ 4.0

具有增强dVSW/dt抗噪能力、负VSW耐受性及开通dVSW/dt可控性的单片GaN功率集成电路

A Monolithic GaN Power IC With Enhanced dVSW/dt Noise Immunity, Negative VSW Tolerance and Turn-On dVSW/dt Control

Yifei Zheng · Haoran Wang · Boyu Li · Weimin Yuan 等11人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年9月 · Vol.14

本文提出一种单片GaN半桥功率IC可靠性增强方案,包括片上地分离设计、抗dVSW/dt噪声的鲁棒电平移位器及可调驱动强度栅极驱动器。实测验证其在130 V/ns dVSW/dt下无误触发,延迟<10.4 ns,支持−15 V负压耐受。

解读: 该GaN功率IC技术可显著提升阳光电源组串式逆变器和ST系列储能变流器(PCS)的开关可靠性与功率密度。尤其适用于高频化、高效率场景(如PowerTitan液冷储能系统中的紧凑型PCS模块),有助于降低EMI、抑制寄生振荡,延长GaN器件寿命。建议在下一代1500V组串式逆变器及双向储能PCS中开展...