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一种用于宽范围超低压输入容错LED驱动的输入自适应自激升压变换器
An Input-Adaptive Self-Oscillating Boost Converter for Fault-Tolerant LED Driving With Wide-Range Ultralow Voltage Input
Yi Chen · Yurong R. Nan · Qinggang G. Kong · Siheng H. Zhong · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年5月
本文提出了一种用于宽范围超低压输入LED驱动的输入自适应自激升压变换器。该拓扑具备输入调节紧凑、低成本、高效率及高可靠性等特点。系统由自激振荡单元、整流单元及包含消隐时间控制和开路保护分支的输入自适应峰值电流控制单元组成。
解读: 该文献提出的自激升压变换器及故障容错控制策略，主要针对低压LED驱动场景，与阳光电源核心的光伏逆变器、储能PCS及风电变流器业务关联度较低。然而，其“输入自适应”与“故障容错”的设计理念，对于阳光电源户用光伏逆变器或iSolarCloud智能运维平台中的辅助电源模块（Auxiliary Power ...
基于帽层设计的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管电学性能研究
Study on electrical performance of AlGaN/GaN high electron mobility transistor based on cap layer design
Tieying Zhang · Peng Cui · Xin Luo · Siheng Chen 等11人 · Solid-State Electronics · 2025年2月 · Vol.224
摘要 本研究探讨了不同帽层对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMTs）电学特性的影响。通过对比制备的具有GaN和AlN帽层的AlGaN/GaN HEMTs，发现AlN帽层由于其优异的钝化效果和极化效应，能够提高二维电子气（2DEG）密度，从而获得更高的饱和电流，并使击穿电压从615 V（GaN帽层）提升至895 V（AlN帽层）。Sentaurus TCAD仿真结果验证了上述实验发现，表明AlN帽层器件中形成了更深的三角形量子势阱，导致2DEG电子密度达到1.19 × 10^13 cm^...
解读: 该AlN帽层GaN HEMT技术对阳光电源功率器件应用具有重要价值。研究显示AlN帽层可将击穿电压提升至895V，梯度帽层结构更达1308V，2DEG密度提升28%。这为我司SG系列光伏逆变器、ST储能PCS及充电桩的GaN功率模块设计提供优化方向：通过改进帽层结构可提升器件耐压等级和导通性能，支持...