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排序:
拓扑与电路
DC-DC变换器
GaN器件
宽禁带半导体
★ 3.0
一种采用IPD技术集成GaN和CMOS的300-MHz微型谐振DC-DC变换器
A Miniature 300-MHz Resonant DC–DC Converter With GaN and CMOS Integrated in IPD Technology
Ming-Jei Liu · Shawn S. H. Hsu · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年11月
本文提出了一种采用谐振门极驱动技术的300-MHz E类DC-DC变换器。该驱动器利用谐波整形网络和RC反馈增强输出电压摆幅，E类功率变换器通过最小化电压电流重叠来提升效率。研究采用0.25-μm GaN HEMT与0.18-μm CMOS工艺进行功率器件与控制电路集成。
解读: 该研究展示了高频化与集成化（IPD技术）在功率变换中的潜力。对于阳光电源而言，虽然300MHz超高频目前主要应用于消费电子或小型化模块，但其核心技术——GaN器件的驱动优化与高频谐振拓扑，对公司未来研发更高功率密度、更小体积的户用逆变器及微型逆变器具有前瞻性参考价值。建议关注该技术在降低功率模块寄生...