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光伏发电技术 多物理场耦合 热仿真 MPPT ★ 4.0

直接膨胀式光伏光热热泵系统实验研究与优化太阳能采集分析

Experimental investigation and analysis of a direct expansion photovoltaic-thermal heat pump system with optimized solar energy harvesting

Shan Jiang · Lei Liu · Hao Chen · Wentao Xie 等5人 · Energy Conversion and Management · 2026年4月 · Vol.354

本文实验研究了一种直接膨胀式光伏光热(PVT)热泵集成系统,通过制冷剂直膨吸热提升光伏组件散热效率并协同产热,结合MPPT优化与热电协同建模,显著提升太阳能综合利用率。

解读: 该PVT热泵系统涉及光伏组件温度管理、MPPT动态响应及电-热多能协同控制,与阳光电源组串式逆变器(如SG系列)的智能散热设计、iSolarCloud平台的多源数据融合及ST系列PCS在光储热耦合场景的扩展应用高度相关。建议在工商业光伏+热泵微网项目中,将ST PCS升级为支持热泵负荷调度与PV温度...

储能系统技术 ★ 5.0

高熵Bi0.5Na0.5TiO3基陶瓷电容器中增强的静电储能性能

Enhanced electrostatic energy-storage performances in the high-entropy Bi0.5Na0.5TiO3-based ceramic capacitors

Wenjie Xie · Wenjing Yu · Yang Yang · Yuanyuan Gong 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年6月 · Vol.126

本文研究了一种基于高熵设计的Bi0.5Na0.5TiO3基陶瓷电容器,通过多元素掺杂策略调控晶格畸变与弛豫行为,显著提升了其静电储能性能。实验结果表明,该材料具有较高的储能密度与效率,归因于增强的极化强度和抑制的滞后损耗。微观结构分析揭示了高熵效应对畴结构细化和介电响应均匀性的促进作用。该工作为高性能储能陶瓷的设计提供了新思路。

解读: 该高熵陶瓷电容器技术对阳光电源储能系统具有重要应用价值。在ST系列储能变流器和PowerTitan大型储能系统中,高储能密度陶瓷电容可替代传统薄膜电容,用于直流母线支撑、滤波和脉冲功率缓冲环节,显著减小体积和重量。其高效率、低滞后损耗特性可降低无功损耗,提升变流器整体效率。在SG系列光伏逆变器的MP...

储能系统技术 储能变流器PCS 储能系统 电网侧储能 ★ 4.0

一种基于超导磁储能

SMES)的电流型无变压器串联电压恢复器用于直流负载保护

Xiao Yuan Chen · Ming Shun Zhang · Shan Jiang · Hua Yu Gou 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年9月

针对直流电网保护装置匮乏的问题,本文提出了一种基于超导磁储能(SMES)的无变压器串联电压恢复器(TLSVR),用于直流负载保护。该装置主要由双向开关变换器和超导线圈组成,串联接入直流输电线路,能够有效提升直流系统的故障穿越能力与供电可靠性。

解读: 该技术涉及直流侧故障保护与电压支撑,与阳光电源PowerTitan及PowerStack等储能系统产品线高度相关。随着直流微电网及高压直流输电应用增加,直流侧故障保护是提升系统安全性的关键。该拓扑利用SMES的高功率密度特性,可为阳光电源的直流耦合储能方案提供故障穿越与电压暂降补偿的新思路。建议研发...

储能系统技术 储能系统 SiC器件 ★ 5.0

基于多保真度代理模型的抗辐射SiC MOSFET功率器件设计

Design of radiation tolerant SiC MOSFET power devices with multi-fidelity surrogate model

Weijie Wu · Zengquan Yao · Shan Xie · Hanyan Huang · Journal of Materials Science: Materials in Electronics · 2025年4月 · Vol.36.0

具有抗辐射性能的半导体器件对于航空航天应用至关重要,而多缓冲层结构(由三个N型掺杂层组成,掺杂浓度范围为5 × 10^16至1 × 10^19 cm^−3,厚度为0–2 μm)通过调制电场分布来增强器件的抗辐射能力。该结构优化了垂直方向的电场分布,降低了N型漂移区与N+衬底结处的峰值电场,从而有效抑制了辐射诱导的电流倍增效应。然而,器件结构的优化过程耗时较长。在本研究中,我们提出了一种基于非平稳分层Kriging模型的抗辐射SiC UMOSFET结构设计方法。该模型采用“数据-物理”协同驱动的方...

解读: 该抗辐射SiC MOSFET设计技术对阳光电源储能系统和光伏逆变器产品具有重要价值。多缓冲层结构通过电场调控提升器件可靠性的思路,可借鉴应用于ST系列PCS和SG系列逆变器的SiC功率模块优化设计中。基于Kriging代理模型的快速仿真方法能显著缩短器件结构开发周期,降低TCAD仿真成本,加速三电平...