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拓扑与电路 双向DC-DC 储能变流器PCS 光储一体化 ★ 5.0

用于混合直流/直流/交流系统的三端口全桥双向变换器

Three-Port Full-Bridge Bidirectional Converter for Hybrid DC/DC/AC Systems

Sebastián Neira · Javier Pereda · Felix Rojas · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年12月

针对可再生能源、储能及电动汽车集成中多级变换导致的损耗与成本问题,本文提出一种三端口全桥双向变换器。该拓扑通过集成直流与交流端口,简化了混合系统架构,有效降低了功率变换级数,提升了系统整体效率与功率密度。

解读: 该拓扑结构高度契合阳光电源光储一体化战略。三端口变换器可直接应用于PowerStack及户用储能系统,通过将光伏输入、电池接口与交流并网端集成,显著减少功率器件数量,降低系统体积与成本。建议研发团队关注该拓扑在多端口能量管理中的软开关控制策略,以提升PowerTitan等大型储能系统的转换效率。此外...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 ★ 5.0

并联SiC MOSFET模块中减少过冲、振荡及dV/dt产生的可选主动电流平衡技术

Reduced Overshoots, Oscillations, and dV/dt Generation in Parallel Connected SiC MOSFET Modules With Optional Active Current Balancing

Mason Parker · Sebastián Neira · Edward L. Horsley · Stephen Finney 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月

碳化硅(SiC)MOSFET相比硅基IGBT具有更高的开关速度和更低的损耗。然而,在并联应用中,其开关振荡、漏源电压过冲及高dV/dt问题限制了其在中高功率变换器中的应用。本文研究了通过主动电流平衡技术来抑制这些负面效应,以提升功率模块的可靠性与性能。

解读: 该技术对阳光电源的核心产品线(如组串式光伏逆变器、PowerTitan储能系统)具有极高的应用价值。随着公司产品向更高功率密度和更高效率演进,SiC器件已成为主流选择。并联SiC模块带来的电压过冲和EMI问题是研发中的难点,该文提出的主动电流平衡方案可有效降低开关应力,提升系统可靠性。建议研发团队在...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

用于SiC模块端子开关电流测量的毫米级200 MHz带宽磁场传感器

Millimetre-Scale 200 MHz Bandwidth Magnetic Field Sensor to Measure Switching Current in SiC Module Terminals With Minimal Insertion Inductance

Jiaqi Yan · Yushi Wang · Harry C. P. Dymond · Sebastian Neira 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年9月

本文提出了一种微型电流传感器设计方案,专门用于SiC功率模块端子。该传感器解决了传统罗氏线圈在空间受限或影响母排性能场景下的应用难题,通过在模块端子间插入低电感铜垫片实现电流传感,具有高带宽和低插入电感的特性。

解读: 随着阳光电源在组串式逆变器和PowerTitan储能系统中大规模应用SiC功率模块,高频开关下的电流精准监测对于提升系统效率和保护器件至关重要。该传感器技术能有效解决SiC高频开关带来的寄生参数干扰问题,有助于优化逆变器及PCS的驱动电路设计,提升功率密度。建议研发团队关注此传感技术的集成化方案,将...

功率器件技术 SiC器件 IGBT ★ 5.0

采用可选有源电流均衡的并联SiC MOSFET模块中降低过冲、振荡及dV/dt产生

Reduced Overshoots, Oscillations, and $dV/dt$ Generation in Parallel Connected SiC MOSFET Modules With Optional Active Current Balancing

Mason Parker · Sebastián Neira · Edward L. Horsley · Stephen Finney 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年9月

与功率转换器中的硅绝缘栅双极型晶体管(IGBT)相比,碳化硅(SiC)金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管(MOSFET)具有更高的开关速度、更小的滤波元件尺寸和更低的开关损耗。然而,可用的模块电流额定值、加剧的振荡开关行为、较大的漏源电压过冲以及较高的输出电压 $dV/dt$ 水平,都是其在中高功率应用中推广的限制因素。此前已证明,采用具有开关沿偏斜特性的器件间电感是一种在模块并联时限制电流不平衡的方法。本文表明,通过精确控制此类配置中各模块之间施加的时序偏斜,可以显著降低过冲、振荡以及输...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项关于并联SiC MOSFET模块的优化控制技术具有重要的应用价值。当前我们在大功率光伏逆变器和储能变流器产品中正面临功率等级提升与开关性能优化的双重挑战,该技术提供了一个切实可行的解决方案。 该研究通过精确控制并联模块间的时序偏移和器件间电感,在实现1600A大电流应...