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用于先进功率转换应用的1700V/50A SiC功率MOSFET相较于Si IGBT/BiMOSFET的高开关性能
High Switching Performance of 1700-V, 50-A SiC Power MOSFET Over Si IGBT/BiMOSFET for Advanced Power Conversion Applications
Samir Hazra · Ankan De · Lin Cheng · John Palmour 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年1月
由于碳化硅（SiC）比硅（Si）具有更宽的带隙，SiC MOSFET显著降低了高压功率器件中的漂移区电阻。凭借极低的导通电阻和固有的低开关损耗，SiC MOSFET能够显著提升变换器效率并实现更紧凑的系统设计，是替代传统Si器件的理想选择。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线具有极高的战略价值。在组串式光伏逆变器和PowerTitan/PowerStack储能变流器（PCS）中，采用1700V SiC MOSFET可显著提升系统功率密度，减少散热器体积，从而降低整机重量与成本。特别是在高压储能系统应用中，SiC器件能有效降低开关损耗，提升系统...
一种利用串联注入扩展高压双有源桥变换器ZVS范围的新型技术
A Novel ZVS Range Enhancement Technique of a High-Voltage Dual Active Bridge Converter Using Series Injection
Awneesh Kumar Tripathi · Krishna Mainali · Sachin Madhusoodhanan · Arun Kadavelugu 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年6月
本文提出了一种利用辅助串联注入变压器扩展双有源桥（DAB）DC-DC变换器零电压开关（ZVS）范围的新技术。通过串联变压器进行电压注入，能够有效控制DAB主变换器的无功功率流动，从而在宽负载范围内维持ZVS运行，并建立了相应的串联补偿模型。
解读: 该技术对阳光电源的储能业务（如PowerTitan、PowerStack及ST系列PCS）具有极高的应用价值。DAB拓扑是双向储能变流器的核心，其软开关范围直接影响变换器的效率与功率密度。通过引入串联注入技术，可显著降低高压储能系统在轻载或宽电压范围下的开关损耗，提升系统全工况效率。建议研发团队评估...