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SiC与Si二极管的EMI产生特性：反向恢复特性的影响
EMI Generation Characteristics of SiC and Si Diodes: Influence of Reverse-Recovery Characteristics
Xibo Yuan · Sam Walder · Niall Oswald · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年3月
本文研究了碳化硅（SiC）肖特基二极管与传统硅（Si）PIN二极管在电磁干扰（EMI）产生特性上的差异。SiC二极管因无反向恢复电流（RRC）特性，在降低开关损耗的同时，对EMI性能的改善作用是本文分析的核心。
解读: 随着阳光电源在组串式逆变器及PowerTitan储能系统等产品中全面推进SiC功率器件的应用，理解其EMI特性对优化高频化设计至关重要。SiC器件虽能显著提升效率并减小磁性元件体积，但其高dv/dt带来的EMI挑战需在PCB布局及滤波器设计中重点考量。建议研发团队利用该研究结论，在下一代高功率密度逆...
快速开关SiC功率器件与变换器应用中的机遇、挑战及潜在解决方案
Opportunities, Challenges, and Potential Solutions in the Application of Fast-Switching SiC Power Devices and Converters
Xibo Yuan · Ian Laird · Sam Walder · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年4月
基于碳化硅（SiC）等宽禁带材料的功率器件相比硅基器件，具有更高的开关速度、耐压能力和工作温度。本文探讨了SiC器件在现有及新兴应用中提升效率与功率密度的潜力，并分析了其在应用过程中面临的挑战及相应的技术解决方案。
解读: SiC器件是阳光电源提升产品竞争力的核心技术路径。在组串式光伏逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统中，应用SiC器件可显著减小磁性元件体积，提升整机功率密度，并降低开关损耗以提高效率。针对文中提到的快速开关带来的EMI干扰、电压过冲及驱动保护挑战，建议研发团队在iSolarCl...