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采用辅助触发拓扑提高高功率纳秒脉冲发生器的可靠性
High-Power Nanosecond Pulse Generators With Improved Reliability by Adopting Auxiliary Triggering Topology
Jiaqi Yan · Saikang Shen · Weidong Ding · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年2月
基于雪崩晶体管的Marx发生器（MBC）常用于产生高功率、高重频纳秒脉冲。针对传统M×N级MBC中前两级雪崩晶体管故障率高的问题，本文提出了一种辅助触发拓扑（ATT），有效提升了高功率脉冲发生系统的可靠性。
解读: 该文章探讨了高压脉冲发生电路的可靠性优化，虽然其核心应用（纳秒脉冲）与阳光电源现有的光伏逆变器、储能变流器（PCS）及充电桩产品线存在差异，但其提出的“辅助触发拓扑”在提升功率半导体器件可靠性方面的设计思路具有参考价值。对于阳光电源而言，在研发高压大功率电力电子设备时，可借鉴该文关于多级串联电路中关...
基于雪崩晶体管的高功率纳秒脉冲发生器改进辅助触发拓扑
Improved Auxiliary Triggering Topology for High-Power Nanosecond Pulse Generators Based on Avalanche Transistors
Saikang Shen · Jiaqi Yan · Guoxiang Sun · Weidong Ding · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年12月
基于雪崩晶体管的Marx电路在产生高压纳秒脉冲方面具有显著优势。引入辅助触发拓扑（ATT）可降低Marx电路中晶体管的损坏概率。然而，随着级数增加，输出电压会显著下降，限制了ATT在每一级的应用。本文提出了一种改进的ATT，旨在解决高压脉冲发生器中的触发可靠性与电压损耗之间的平衡问题。
解读: 该文献研究的纳秒级脉冲发生技术主要应用于高压脉冲功率领域，与阳光电源现有的光伏逆变器、储能PCS及充电桩等主流电力电子产品在应用场景上有较大差异。虽然其涉及的晶体管触发可靠性与保护机制对电力电子器件的驱动电路设计具有一定的参考价值，但目前阳光电源的核心产品线（如PowerTitan、组串式逆变器）更...