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基于雪崩晶体管的高功率纳秒脉冲发生器改进辅助触发拓扑
Improved Auxiliary Triggering Topology for High-Power Nanosecond Pulse Generators Based on Avalanche Transistors
| 作者 | Saikang Shen · Jiaqi Yan · Guoxiang Sun · Weidong Ding |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2021年12月 |
| 技术分类 | 拓扑与电路 |
| 技术标签 | 功率模块 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★ 2.0 / 5.0 |
| 关键词 | 雪崩晶体管 Marx电路 纳秒脉冲发生器 辅助触发拓扑 高压脉冲 晶体管可靠性 脉冲功率 |
语言:
中文摘要
基于雪崩晶体管的Marx电路在产生高压纳秒脉冲方面具有显著优势。引入辅助触发拓扑(ATT)可降低Marx电路中晶体管的损坏概率。然而,随着级数增加,输出电压会显著下降,限制了ATT在每一级的应用。本文提出了一种改进的ATT,旨在解决高压脉冲发生器中的触发可靠性与电压损耗之间的平衡问题。
English Abstract
The avalanche transistor-based Marx circuit has great advantages in generating high-voltage nanosecond pulses. The introduction of auxiliary triggering topology (ATT) can reduce the damage probability of transistors in M × N-stage Marx bank circuits (MBCs). However, as the number of modified stages increases, the output voltage drops significantly, which makes it not achievable to adopt ATT at eac...
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SunView 深度解读
该文献研究的纳秒级脉冲发生技术主要应用于高压脉冲功率领域,与阳光电源现有的光伏逆变器、储能PCS及充电桩等主流电力电子产品在应用场景上有较大差异。虽然其涉及的晶体管触发可靠性与保护机制对电力电子器件的驱动电路设计具有一定的参考价值,但目前阳光电源的核心产品线(如PowerTitan、组串式逆变器)更侧重于高效率、高功率密度及长寿命的并网变换技术。建议关注该技术在功率器件驱动保护电路中的潜在应用,以提升极端工况下功率模块的可靠性。