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功率器件技术 GaN器件 宽禁带半导体 DC-DC变换器 ★ 4.0

一种解决GaN同步降压变换器串扰问题的负压衰减栅极驱动电源

Gate-Drive Power Supply With Decayed Negative Voltage to Solve Crosstalk Problem of GaN Synchronous Buck Converter

Yu Chen · Ruwen Wang · Xinmin Liu · Yong Kang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年1月

氮化镓(GaN)晶体管凭借高开关频率优势,适用于高功率密度变换器。但在桥式电路应用中,开关节点电压的快速变化易引发栅源电压尖峰,导致串扰问题,进而引发误导通或栅极击穿。本文提出一种具有负压衰减特性的栅极驱动电源,旨在有效抑制串扰并提升系统可靠性。

解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化储能PCS中对高功率密度需求的提升,GaN器件的应用成为关键技术趋势。该研究针对GaN在高频桥式电路中的串扰难题,提出的负压衰减驱动方案能显著提升驱动电路的抗干扰能力,降低误导通风险。建议研发团队在下一代高频紧凑型微型逆变器或小型户用储能变换器设计中参考该驱动拓扑...