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KGPT：基于功率调谐的静态物联网无线密钥生成
KGPT: Wireless Key Generation Based on Power Tuning for Static Internet-of-Things
Xintao Huan · Kaitao Miao · Jiamin Liu · Changfan Wu 等6人 · IEEE Transactions on Industrial Informatics · 2024年12月
无线密钥生成是一种新兴的物联网（IoT）设备密钥共享解决方案，它严重依赖于无线信号的波动。然而，大多数物联网设备自部署以来一直处于静止状态，其稳定的无线信号严重降低了密钥生成的有效性。在本文中，我们为静态物联网提出了一种基于功率调谐的新型无线密钥生成方法（KGPT）。与现有方法不同，KGPT不需要任何额外的辅助设备或对硬件进行任何修改，因此适用于实际的静态物联网部署。我们分析了对现有无线密钥生成进行窃听的可能性。我们提出了三种功率调谐策略，以在静态物联网中产生用于密钥生成的无线信号波动，同时抵御...
解读: 从阳光电源分布式新能源设备网络安全的角度来看，这项基于功率调谐的无线密钥生成技术（KGPT）具有重要的应用价值。当前，我司大量部署的光伏逆变器、储能系统及能源管理设备普遍处于静态物联网场景中，设备间通信安全依赖传统密钥分发机制，存在密钥管理复杂、更新成本高等问题。 该技术的核心价值在于利用无线信号...
具有氦注入边缘终端的3.0 kV β-Ga2O3基垂直p-n异质结二极管
3.0 kV β-Ga2O3-Based Vertical p-n Heterojunction Diodes With Helium-Implanted Edge Termination
Jiajun Han · Na Sun · Xinyi Pei · Rui Wang 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年4月
我们展示了垂直结构的NiO/β -Ga₂O₃ p - n异质结二极管（HJDs），其击穿电压（VBR）高达3000 V，比导通电阻（Ron,sp）低至3.12 mΩ·cm²，由此得到的巴利加品质因数（FOM）为2.88 GW/cm²。具体而言，引入了一种通过注入轻质量氦原子形成的高效低损伤边缘终端（ET），以抑制HJDs p - n结处的高电场，从而将器件的VBR从1330 V提高到3000 V。对反向泄漏机制进行了拟合和分析，揭示了氦注入器件中不同的击穿机制。仿真结果证实，氦注入边缘终端能够有...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项基于β-Ga2O3材料的3 kV垂直p-n异质结二极管技术具有重要的战略意义。该器件实现了3000V击穿电压和3.12 mΩ·cm²的超低导通电阻，其2.88 GW/cm²的Baliga品质因数远超传统硅基器件，这对我们在光伏逆变器和储能系统中追求的高效率、高功率密度目...