找到 4 条结果
一种用于开尔文源极连接并联SiC MOSFET动态均流的电流平衡驱动器
A Current-Balancing Gate Driver for Dynamic Current Sharing of Paralleled SiC MOSFETs With Kelvin-Source Connection
Che-Wei Chang · Matthias Spieler · Ayman M. EL-Refaie · Renato Amorim Torres 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月
并联碳化硅(SiC)MOSFET是提升电流处理能力的经济方案,开尔文源极配置有助于优化开关性能。然而,并联器件间的动态电流不平衡会导致损耗分配不均及结温差异,进而影响系统可靠性。本文提出一种新型电流平衡驱动技术,旨在解决并联SiC器件的动态均流问题。
解读: 该技术对阳光电源的核心业务具有极高价值。随着公司组串式逆变器(如SG系列)和储能系统(如PowerTitan系列)向高功率密度和高效率演进,SiC MOSFET的并联应用已成为主流。动态均流技术能有效降低并联器件的应力差异,显著提升功率模块的长期可靠性,并有助于进一步优化散热设计。建议研发团队关注该...
电流源逆变器永磁电机驱动的脉动高频注入自传感控制分析
Analysis of Pulsating High-Frequency Injection Self-Sensing Control for CSI PM Motor Drives
Renato Amorim Torres · Sangwhee Lee · Hang Dai · Woongkul Lee 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年3月
本文探讨了电流源逆变器(CSI)驱动系统中转子位置自传感控制方法。随着单片宽禁带功率开关技术的发展,CSI拓扑结构日益受到关注。文章重点研究了基于脉动矢量激励的凸极性检测方法(PVE),旨在解决CSI驱动中位置估计的挑战,为高性能电机控制提供理论支撑。
解读: 该研究聚焦于电流源逆变器(CSI)及宽禁带器件的应用,虽然阳光电源目前的主流产品(如组串式逆变器、PowerTitan储能系统)多采用电压源逆变器(VSI)拓扑,但该技术在高性能电机驱动及未来新型电力电子变换器领域具有潜在参考价值。随着宽禁带半导体(SiC/GaN)在阳光电源产品中的普及,文中提到的...
模块化可重构六相永磁同步电机驱动的短路故障容错运行
Short-Circuit Fault-tolerant Operation of Modular and Reconfigurable Six-phase PMSM Drive
Woongkul Lee · Junhyuk Im · Seun Guy Min · Renato A. Torres 等6人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年6月
面向交通运输系统的电驱动装置要求高可靠性,具备强健的容错能力。绕组短路故障易引发高温、转矩脉动及拖曳转矩,可能导致火灾、永磁体不可逆退磁等连锁故障。现有容错控制策略在故障下常伴随性能下降与损耗增加。本文提出一种基于三个两相逆变器模块的模块化可重构容错方法,通过反电动势重构相电流并补偿故障电流,在单相或两相短路故障下实现有效容错运行。仿真与实验验证了该方法的有效性,显著抑制了转矩脉动与功率损耗,保持故障后机械输出稳定,适用于需维持额定转矩或输出功率的安全关键场合。
解读: 该模块化可重构六相电机容错技术对阳光电源新能源汽车驱动产品线具有重要应用价值。其基于两相逆变器模块的容错架构可直接应用于电动汽车电机控制器,通过反电动势重构实现短路故障下的转矩脉动抑制,显著提升驱动系统可靠性。该技术对ST储能系统的冷却风机、PowerTitan的液冷泵电机等关键辅助驱动同样适用,可...
一种用于带开尔文源连接的并联SiC MOSFET动态电流均衡的电流平衡栅极驱动器
A Current-Balancing Gate Driver for Dynamic Current Sharing of Paralleled SiC MOSFETs With Kelvin-Source Connection
Che-Wei Chang · Matthias Spieler · Ayman M. EL-Refaie · Renato Amorim Torres 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年10月
将碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)并联是提高电流处理能力的一种经济有效的解决方案。此外,采用开尔文源极配置已被证明有助于改善开关性能。然而,并联器件之间的动态电流不平衡会带来重大风险,包括损耗不均、结温不一致,在极端情况下还会出现热失控,最终导致器件失效。本文首先推导了动态电流共享的时域数学模型,该过程可用等效电路模型描述。随后,进行了全面的参数研究,以探究寄生元件对动态电流共享的影响,并给出了实际的布局建议。利用电流共享机制,将差模电感(DMC)集成到栅极驱动器中以...
解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项SiC MOSFET并联均流技术具有显著的应用价值。在光伏逆变器和储能变流器等核心产品中,大功率应用场景普遍采用SiC器件并联方案以提升电流处理能力,这项技术直接切中了我们产品设计的痛点。 该论文提出的差模扼流圈(DMC)门极驱动方案,通过被动元件实现动态电流均衡,无...