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用于高功率密度变换器的紧凑型流体分配微通道多器件冷却技术
Efficient Microchannel Cooling of Multiple Power Devices With Compact Flow Distribution for High Power-Density Converters
Remco van Erp · Georgios Kampitsis · Elison Matioli · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年7月
本文提出了一种针对多功率器件的高效紧凑冷却方案，通过将多个微流体冷板集成于晶体管表面实现局部热提取。利用3D打印的紧凑型流体分配歧管将冷板并联，有效降低了微通道带来的高压降，在提升功率密度的同时优化了热管理性能。
解读: 随着阳光电源PowerTitan液冷储能系统及组串式逆变器向更高功率密度演进，散热已成为制约性能提升的关键瓶颈。该技术提出的微通道局部冷却与3D打印流体分配方案，能显著降低功率模块（如SiC/IGBT）的结温，提升系统可靠性与功率密度。建议研发团队关注该技术在下一代高密度PCS模块中的应用，通过优化...
用于低功率损耗测量的高精度免校准量热仪
High-Accuracy Calibration-Free Calorimeter for the Measurement of Low Power Losses
Armin Jafari · Michael Heijnemans · Reza Soleimanzadeh · Remco van Erp 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年1月
宽禁带半导体技术推动了高频功率转换效率的提升，但传统电测法在极高效率下易产生测量误差。本文提出一种高精度免校准量热仪，旨在解决电流探头带宽限制、时延失配及电磁干扰等导致的效率测量不准问题，为高效率功率电子系统的损耗评估提供精确基准。
解读: 随着阳光电源在组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统中大规模应用SiC等宽禁带器件，系统效率已接近极限，传统的电测法难以精准捕捉微小的损耗差异。该量热仪技术可作为研发实验室的核心测试手段，用于验证高频功率模块的热设计与损耗模型。通过引入高精度量热法，阳光电源能更准确地评估S...
基于脉冲整流的千瓦级优化升压变换器，实现52 kW/l功率密度与98.6%效率
Optimized Kilowatt-Range Boost Converter Based on Impulse Rectification With 52 kW/l and 98.6% Efficiency
Armin Jafari · Mohammad Samizadeh Nikoo · Remco van Erp · Elison Matioli · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年7月
本文提出了一种基于脉冲整流技术的兆赫兹级千瓦级升压变换器全方位优化方案。针对变频变换器在宽频率范围内运行的挑战，通过协同优化设计与控制，实现了高达52 kW/l的功率密度和98.6%的转换效率，并重点探讨了增强散热性能的优化方法。
解读: 该研究提出的兆赫兹级高功率密度DC-DC变换技术，对阳光电源的户用光伏逆变器及小型化储能系统（如PowerStack）具有重要参考价值。随着户用产品向更轻量化、更紧凑化方向发展，该技术中关于脉冲整流与高频磁性元件的协同优化，可有效提升产品功率密度，降低散热成本。建议研发团队关注其在宽频率范围下的效率...
集成于GaN功率IC的片上微流体冷却技术实现78 kW/l的高功率密度
In-Chip Microfluidic Cooling Integrated on GaN Power IC Reaching High Power Density of 78 kW/l
Remco van Erp · Nirmana Perera · Luca Nela · Ibrahim Osama Elhagali 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年8月
氮化镓（GaN）半导体的横向结构支持逻辑与功率器件的单片集成，有助于实现变换器的小型化。然而，高密度集成带来的局部热流密度超过1 kW/cm²，超出了现有热管理技术的极限。本文展示了一种集成于GaN功率IC的片上微流体冷却技术，成功实现了78 kW/l的高功率密度。
解读: 该技术对阳光电源的产品小型化战略具有重要意义。随着组串式逆变器和PowerStack储能系统对功率密度要求的不断提升，GaN器件的散热瓶颈日益凸显。片上微流体冷却技术可有效解决高功率密度下的局部过热问题，助力下一代高频、紧凑型功率模块的开发。建议研发团队关注该技术在户用光伏逆变器及高密度储能PCS中...
基于硅基氮化镓肖特基势垒二极管的超紧凑高频功率集成电路
Ultra-compact, High-Frequency Power Integrated Circuits Based on GaN-on-Si Schottky Barrier Diodes
Luca Nela · Remco Van Erp · Georgios Kampitsis · Halil Kerim Yildirim 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年2月
本文展示了硅基氮化镓（GaN-on-Si）三阳极肖特基势垒二极管（SBDs）的规模化应用。尽管GaN晶体管已广泛应用，但GaN二极管的商业化进程滞后。研究验证了该器件在提升功率电路设计性能及实现超紧凑、高频化方面的潜力。
解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器及户用储能产品具有重要参考价值。随着光伏和储能系统向高功率密度和高频化演进，GaN器件在减小磁性元件体积、提升整机效率方面优势显著。建议研发团队关注GaN-on-Si SBD的可靠性验证，探索其在微型逆变器或高频DC-DC变换器中的应用，以进一步优化PowerStack...