Ralph M. Burkart · Johann W. Kolar · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年7月

本文针对5kW、100-700V宽输入电压范围的直流微电网应用，对Si和SiC双有源桥（DAB）变换器进行了成本感知对比。研究对比了传统三电平DAB（3LDAB）与先进五电平DAB（5LDAB）拓扑，后者在宽电压范围内有效降低了RMS电流，并评估了损耗与性能指标。

解读: 该研究直接关联阳光电源储能系统（如PowerTitan、PowerStack）及直流微电网解决方案中的核心DC-DC变换环节。随着储能系统向高压化、宽电压范围输入发展，文中提到的五电平DAB拓扑及SiC器件应用，对于提升PCS（储能变流器）的功率密度和转换效率具有重要参考价值。建议研发团队关注5LD...