Rainer Kraus · Alberto Castellazzi · IEEE Transactions on Power Electronics · 2016年8月

本文提出了一种基于物理机制的SiC功率MOSFET紧凑模型，综合考虑了影响器件特性及电热行为的关键物理现象。模型涵盖了沟道电荷、电子迁移率与界面陷阱电荷的依赖关系，并实现了电压相关漏极电阻的有效计算。

解读: SiC器件是阳光电源提升光伏逆变器及储能PCS功率密度与效率的核心技术。该物理紧凑模型能更精确地模拟SiC MOSFET在极端工况下的电热耦合特性，对优化PowerTitan等储能系统及组串式逆变器的散热设计、开关损耗评估及可靠性寿命预测具有重要意义。建议研发团队将此模型集成至仿真平台，以缩短高性能...